[发明专利]一种石墨盘及其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种石墨盘及其制备方法和应用，涉及低压MOCVD(石墨盘)外延生长领域，尤其涉及一种减少预反应的新方法。本发明所述石墨盘的表层有一层改性薄膜，所述改性薄膜热辐射系数低于0.2W/(kg·K)。本发明通过对石墨盘进行改性，降低了预反应区所在区域的气体温度，从而达到减缓预反应发生的效果。

技术领域

本发明涉及低压MOCVD(石墨盘)外延生长领域，尤其涉及一种减少预反应的新方法。

背景技术

在各种涉及MOCVD外延生长的量产过程中，都受到反应物预反应问题的困扰，预反应的发生不仅降低了原材料的利用率，同时预反应产物附着在匀气网上，并在后续生长过程中受到气流扰动，从而掉落在外延片上，是造成外延表观掉点的重要因素之一。

为了解决预反应问题，人们提出了各种不同的方法：

对于化学反应，反应的发生需要两个条件，一是原材料相遇，二是达到反应条件。

在现有的解决方案中，通常是采取阻止反应物相遇的方法，解决途径有隔离反应物或避免原材料在同一时间出现在预反应发生区域，然而前者实现起来并不容易，同时也需要对反应室进行较大幅度的改进，对旧机台适用性较差，改造成本巨大，后者则大大增加了生长时间，对效率和产量的伤害极大，同时适用范围也很有限。

发明内容

本发明所要解决的第一个技术问题是：一种能够降低预反应区所在区域的气体温度，从而达到减缓预反应发生的改性石墨盘。

本发明所要解决的第二个技术问题是：上述改性石墨盘的制备方法。

本发明所要解决的第三个技术问题是：上述改性石墨盘的应用。

为了解决上述第一个技术问题，本发明采用的技术方案为：所述石墨盘的表层有一层改性薄膜，所述改性薄膜的热辐射系数低于0.2W/(kg·K)。

进一步地，所述改性薄膜厚度为1至5mm。

进一步地，所述石墨盘的表面粗糙度不超过100μm。

进一步地，所述改性薄膜为金属材料，所述金属材料为铂、钯、镍、铬和钨中的至少一种。

进一步地，所述改性薄膜为非金属材料，所述非金属材料为氧化铝、氮化硼中的至少一种。

本发明的有益效果在于：本发明通过对石墨盘进行改性，降低了预反应区所在区域的气体温度，从而达到减缓预反应发生的效果。

为了解决上述第二个技术问题，本发明采用的技术方案为：上述改性石墨盘的制备方法，包括以下步骤：

将石墨盘表面进行平滑处理，将改性材料固定在石墨盘的表面。

本发明的有益效果在于：石墨盘改性方法难度小、成本低、原材料利用率高；改性后的石墨盘不会降低产能，不会增加机时消耗。

为了解决上述第三个技术问题，本发明采用的技术方案为：上述改性石墨盘在半导体材料外延生长中的应用。

附图说明

构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。

图1为实施例1的石墨盘俯视图。

图2为实施例1的石墨盘侧视图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

A-改性薄膜，B-衬底放置坑位，C-石墨盘。

具体实施方式