[发明专利]垂直可变电阻存储器件

权利要求书

1.一种垂直可变电阻存储器件，包括：

栅电极，所述栅电极在衬底上沿第一方向彼此间隔开，每个所述栅电极包括石墨烯并沿第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的上表面，并且所述第二方向基本上平行于所述衬底的所述上表面；

第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于所述栅电极之间，每个所述第一绝缘图案包括氮化硼；以及

至少一个柱状结构，所述至少一个柱状结构在所述衬底上沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述第一绝缘图案，

其中，所述至少一个柱状结构包括：

垂直栅电极，所述垂直栅电极沿所述第一方向延伸；以及

可变电阻图案，所述可变电阻图案位于所述垂直栅电极的侧壁上。

2.根据权利要求1所述的垂直可变电阻存储器件，其中，所述第一绝缘图案包括六方氮化硼或非晶氮化硼。

3.根据权利要求1所述的垂直可变电阻存储器件，其中，所述至少一个柱状结构包括在所述第二方向上彼此间隔开的多个柱状结构。

4.根据权利要求3所述的垂直可变电阻存储器件，其中：

在所述第一方向上彼此间隔开的所述栅电极形成多个栅电极结构，并且

所述多个栅电极结构在第三方向上彼此间隔开，所述第三方向基本上平行于所述衬底的所述上表面并且基本上垂直于所述第二方向。

5.根据权利要求4所述的垂直可变电阻存储器件，所述垂直可变电阻存储器件还包括位于所述多个栅电极结构之间的第二绝缘图案，所述第二绝缘图案包括六方氮化硼或非晶氮化硼。

6.根据权利要求5所述的垂直可变电阻存储器件，其中，

所述多个栅电极结构中的每个栅电极结构中的所述栅电极以阶梯形状堆叠，在所述阶梯形状中，所述栅电极在所述第二方向上的延伸长度从最低水平高度朝向最高水平高度阶梯式减小，并且

所述第二绝缘图案在所述第二方向上的延伸长度大于或等于所述多个栅电极结构中的每个栅电极结构中的最下面的所述栅电极在所述第二方向上的延伸长度。

7.根据权利要求6所述的垂直可变电阻存储器件，其中，在所述多个栅电极结构中的每个栅电极结构中位于所述栅电极之间的所述第一绝缘图案以阶梯形状堆叠，在所述阶梯形状中，所述第一绝缘图案在所述第二方向上的延伸长度从最低水平高度朝向最高水平高度阶梯式减小。

8.根据权利要求6所述的垂直可变电阻存储器件，所述垂直可变电阻存储器件还包括：

第一布线，所述第一布线电连接到所述多个柱状结构的所述垂直栅电极，每条所述第一布线在所述多个柱状结构上沿所述第三方向延伸；以及

第二布线，所述第二布线电连接到所述多个栅电极结构，每条所述第二布线在所述多个栅电极结构上沿所述第二方向延伸。

9.根据权利要求5所述的垂直可变电阻存储器件，其中，所述第二绝缘图案的上表面高于所述栅电极结构的上表面。

10.根据权利要求1所述的垂直可变电阻存储器件，其中，所述可变电阻图案包括钙钛矿基材料或过渡金属氧化物。