[发明专利]输入/输出电容测量以及相关方法、装置和系统有效
申请号: | 202110577251.6 | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113936732B | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 李贤義 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C29/50 | 分类号: | G11C29/50 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输入 输出 电容 测量 以及 相关 方法 装置 系统 | ||
描述了输入/输出电容测量以及相关方法、装置和系统。一种装置可包含电流源,所述电流源被配置成将充电节点耦合到接地电压以产生电流。所述装置可包含第二电路,所述第二电路耦合到所述节点,并且被配置成在时钟信号的第一时钟周期期间开始以及对于所述时钟信号的多个时钟周期中的每一时钟周期,将所述节点处的所述电压与参考电压进行比较以产生结果。所述装置可进一步包含控制单元,所述控制单元被配置成:在完成所述时钟信号的后续时钟周期后,检测所述结果中的改变;响应于所述结果中的所述改变,基于从所述第一时钟周期到完成所述后续时钟周期所经过的时钟周期的数目而确定转换时间;以及基于所述转换时间而确定所述节点的电容。
本申请要求2020年7月13日提交的第16/927,535号美国专利申请“输入/输出电容测量以及相关方法、装置和系统(INPUT/OUTPUT CAPACITANCE MEASUREMENT,AND RELATEDMETHODS,DEVICES,AND SYSTEMS)”的提交日的权益。
技术领域
本公开的实施例涉及输入/输出电容测量。更确切地说,各种实施例涉及测量半导体装置的输入/输出电容,并且涉及相关方法、装置和系统。
背景技术
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子系统中的内部、半导体、集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、双倍数据速率存储器(DDR)、低功率双倍数据速率存储器(LPDDR)、相变存储器(PCM)和快闪存储器。
存储器装置将数字数据存储在存储器单元阵列中。为了从此类阵列读取信息,感测存储器单元存在或不存在电荷。信息可放大和从存储器装置传送。通常,可耦合到输出缓冲器或作为输出缓冲器的部分的输出驱动器可用于从存储器装置传送信息。
发明内容
本公开的各种实施例可包含一种装置,所述装置包含耦合到节点,并且被配置成对节点充电的第一电路。装置可进一步包含电流源,所述电流源耦合到节点,并且被配置成将节点耦合到接地电压以产生通过节点的电流。装置可进一步包含第二电路,所述第二电路耦合到节点,并且被配置成在时钟信号的第一时钟周期期间开始以及对于时钟信号的多个时钟周期中的每一时钟周期,将节点处的电压与参考电压进行比较以产生结果。此外,装置可包含控制单元。控制单元可被配置成在完成时钟信号的后续时钟周期后检测结果中的改变。控制单元可进一步被配置成响应于结果中的改变而基于从第一时钟周期到完成后续时钟周期所经过的时钟周期的数目而确定转换时间,以基于转换时间而确定节点的电容。
本公开的一或多个其它实施例包含一种方法。方法可包含将输入/输出(I/O)节点充电到大体上等于工作电压的电压电平,其中工作电压大于参考电压。方法可进一步包含将I/O节点耦合到接地电压以产生通过I/O节点的电流。此外,方法可包含响应于将I/O节点耦合到接地电压,在时钟信号的第一时钟周期期间开始以及对于时钟信号的多个时钟周期中的每一时钟周期,将I/O节点的电压与参考电压进行比较以产生结果。方法还可包含在完成时钟信号的后续时钟周期后检测结果中的改变。此外,方法可包含响应于检测到结果中的改变,基于从第一时钟周期到完成后续时钟周期所经过的时钟周期的数目而确定转换时间。方法可进一步包含基于转换时间而确定I/O节点的电容。
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