[发明专利]一种钙钛矿纳米晶薄膜及其成膜方法和应用

权利要求书

1.一种钙钛矿纳米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述成膜方法具体为：将钙钛矿纳米晶溶液通过多步交替涂制在基片上，所述多步交替涂制是指滴涂和旋涂交替进行，每次滴涂或旋涂后需进行干燥，再进行下一步涂制。

2.权利要求1所述的一种钙钛矿纳米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述多步交替涂制按照先滴涂后旋涂的顺序交替进行，交替次数为3-10次。

3.权利要求1所述的一种钙钛矿纳米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述滴涂和旋涂每次使用的钙钛矿纳米晶溶液量为50-200μL。

4.权利要求1所述的一种钙钛矿纳米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述滴涂干燥温度为15-60℃，时间为5-45分钟。

5.权利要求1所述的一种钙钛矿纳米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述旋涂转速1000-6000rpm，加速度300-1000r/s，旋涂时间为15-90秒。

6.权利要求1所述的一种钙钛矿纳米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述钙钛矿纳米晶溶液的溶剂为甲苯、辛烷、正己烷、环己烷、二氯甲苯、三氯甲苯、四氯化碳、正丁醇、乙酸乙酯中的任意一种或者任意几种溶剂的混合。

7.权利要求1所述的一种钙钛矿纳米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述钙钛矿纳米晶溶液中的钙钛矿纳米晶材料为钙钛矿卤化物及其衍生物。

8.权利要求7所述的一种钙钛矿纳米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述钙钛矿卤化物及其衍生物结构通式包括ABX₃、AB₂X₅、A₄BX₆、A₂BX₄、A₃BX₅，其中，A＝Cs⁺、Rb⁺、甲胺离子、甲脒离子的任意一种或者任意几种的混合；B＝Pb²⁺、Sn²⁺、Ge²⁺的任意一种或者任意几种的混合；X＝Cl、Br、I的任意一种或者任意几种的混合。

9.一种钙钛矿纳米晶薄膜，其特征在于，所述钙钛矿纳米晶薄膜为采用权利要求1-8中任意一项权利要求所述的成膜方法制备的薄膜。

10.权利要求9所述的一种钙钛矿纳米晶薄膜在LED器件的发光层中的应用。