[发明专利]用于沉积含硼和镓的硅锗层的方法

权利要求书

1.一种外延生长掺杂硼和镓的硅锗层的方法，包括：

在反应器室中提供包含单晶表面的衬底；以及

将硅前体、锗前体、硼前体和镓前体引入反应器室，从而在单晶表面上外延生长掺杂硼和镓的硅锗层；

其中，所述硅前体、锗前体、硼前体和镓前体基本不含氯。

2.一种外延生长掺杂硼和镓的硅锗层的方法，包括：

在反应器室中提供包含单晶表面的衬底；以及

引入硅前体、锗前体、硼前体和镓前体，从而在单晶表面上外延生长掺杂硼和镓的硅锗层；

其中，所述硅前体选自硅烷、环硅烷、烷基硅烷和炔基硅烷；

其中，所述锗前体选自锗、环锗、烷基锗和炔基锗；

其中，所述硼前体选自硼烷和有机硼氢化物，有机硼氢化物具有通式R_xM(BH₄)_3-x，其中，R独立地选自H,CH₃,C₂H₅,C₆H₅和NH₂；M是选自镓、铝和铟的IIIA族金属；x是1-3的整数；并且

其中，所述镓前体选自烷基镓、Ga(BH₄)₃和GaH₃。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅前体、锗前体、硼前体和镓前体基本不含卤素。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括将载气引入所述反应器室，其中，所述载气不含氯。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述载气不含卤素。

6.根据权利要求4至5中任一项所述的方法，其中，所述载气选自氢气、惰性气体、氮气及其混合物。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述硅前体包括选自硅烷(SiH₄)、乙硅烷(Si₂H₆)、三硅烷(Si₃H₈)、四硅烷(Si₄H₁₀)和五硅烷(Si₅H₁₂)的化合物。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述硅前体包括甲基硅烷(CH₃-SiH₃)。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述锗前体包括选自锗烷(GeH₄)、二锗烷(Ge₂H₆)、三锗烷(Ge₃H₈)和锗基硅烷(H₃Ge-SiH₃)的化合物。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述镓前体包括选自三甲基镓(TMG)、三乙基镓(TEG)、三叔丁基镓(TTBGa)、Ga(BH₄)₃和GaH₃的化合物。

11.根据权利要求1至10中任一项的方法，其中，所述硼前体包括乙硼烷(B₂H₆)。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，

-所述衬底包括第一表面和第二表面，其中第一表面是单晶表面，其中第二表面是介电表面；并且其中，所述掺杂硼和镓的硅锗层选择性地外延生长在第一表面上。