[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底至少包括第一区域和第二区域；

形成垫氧化层于所述衬底上，所述垫氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域；

分别在所述第一区域和所述第二区域内形成浅沟槽隔离结构；

对所述第一区域进行离子掺杂，以在所述第一区域内形成第一阱区；

移除位于所述第一区域上的部分所述垫氧化层，以在所述第一区域上形成第一氧化层；

对所述第二区域进行离子掺杂，以在所述第二区域内形成第二阱区；

移除位于所述第二区域上的部分所述垫氧化层，以在所述第二区域上形成第二氧化层，所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度；

移除所述第一氧化层和所述第二氧化层，以在所述浅沟槽隔离结构的两侧与所述衬底表面接触的区域分别形成凹陷区；

其中，所述第一区域为PMOS区，所述第二区域为NMOS区；

其中，所述第一区域内所述凹陷区的深度大于所述第二区域内所述凹陷区的深度；

其中，所述第一区域内所述浅沟槽隔离结构的宽度小于所述第二区域内所述浅沟槽隔离结构的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述浅沟槽隔离结构的步骤包括：

在所述垫氧化层上形成垫氮化层；

形成多个沟槽于所述衬底中；

形成填充层于所述沟槽内，所述填充层覆盖所述垫氮化层；

对所述填充层进行平坦化处理，以暴露出所述垫氮化层；

通过湿法刻蚀移除部分所述填充层和所述垫氮化层，以形成所述浅沟槽隔离结构。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一阱区的离子掺杂类型和所述第二阱区的离子掺杂类型相反。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构突出于所述垫氧化层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，通过磷酸溶液移除所述第一氧化层和所述第二氧化层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述凹陷区的深度为13-20埃，所述第一区域内所述凹陷区的深度与所述第二区域内所述凹陷区的深度的差值为3-5埃。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度与所述第一氧化层的厚度的差值为30-50埃。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述垫氧化层的厚度为150-200埃。

9.根据权利要求1-8任一所述的制造方法形成的半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，至少包括第一区域和第二区域；

至少两个浅沟槽隔离结构，分别设置在所述第一区域和所述第二区域内；

其中，所述第一区域为PMOS区，所述第二区域为NMOS区；

其中，所述浅沟槽隔离结构的两侧与所述衬底表面接触的区域形成有凹陷区，且所述第一区域内所述凹陷区的深度大于所述第二区域内所述凹陷区的深度；

其中，所述第一区域内所述浅沟槽隔离结构的宽度小于所述第二区域内所述浅沟槽隔离结构的宽度。