[发明专利]一种用于制备石墨膜的聚酰亚胺薄膜、该聚酰亚胺薄膜制备的高导热石墨膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110574156.0 申请日: 2021-05-25
公开(公告)号: CN113353926A 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 史恩台;孙善卫;陈铸红;方超;潘成 申请(专利权)人: 安徽国风塑业股份有限公司
主分类号: C01B32/205 分类号: C01B32/205
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人: 余婧
地址: 230000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 制备 石墨 聚酰亚胺 薄膜 导热 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制备石墨膜的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,是由聚丙烯腈/聚酰胺酸溶液经过成膜、热亚胺化制得;

所述聚丙烯腈/聚酰胺酸溶液包括聚酰胺酸溶液和均匀分散在其中的聚丙烯腈粉末,其中聚酰胺酸溶液是由芳香二胺、芳香二酐在非质子极性有机溶剂中反应制成。

2.根据权利要求1所述的用于制备石墨膜的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚丙烯腈/聚酰胺酸溶液的原料包括芳香二胺、芳香二酐、聚丙烯腈粉末和非质子极性有机溶剂。

3.根据权利要求1或2所述的用于制备石墨膜的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚丙烯腈粉末的质量为芳香二胺与芳香二酐质量之和的5~30%wt;

优选地,所述聚丙烯腈的数均分子量为50000~300000;

优选地,所述芳香二胺为4,4'-二氨基二苯醚、对苯二胺、4,4'-二氨基二苯酮、4,4'-二氨基二苯甲烷中的至少一种;

优选地,所述芳香二酐为均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐中的至少一种;

优选地,所述非质子极性有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮中至少一种;

优选地,所述芳香二胺与芳香二酐的摩尔比为1:1。

4.根据权利要求1~3任一项所述的用于制备石墨膜的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚丙烯腈/聚酰胺酸溶液的固含量为15~25wt%,粘度为1000~3000泊。

5.根据权利要求1~4任一项所述的用于制备石墨膜的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚丙烯腈/聚酰胺酸溶液的制备方法包括:

将芳香二胺和聚丙烯腈粉末加入非质子极性有机溶剂中,充分搅拌后加入芳香二酐,搅拌反应,得到聚丙烯腈/聚酰胺酸溶液;

优选地,所述搅拌反应的温度为-20~50℃,反应时间为1~12h。

6.根据权利要求1~5任一项所述的用于制备石墨膜的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述成膜的具体步骤包括:将聚丙烯腈/聚酰胺酸溶液涂覆或者流延在支撑体上,干燥;优选地,所述干燥的温度为60~200℃,干燥时间为30~180min。

7.根据权利要求1~6任一项所述的用于制备石墨膜的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述热亚胺化的温度为220~450℃,时间为15~60min。

8.一种高导热石墨膜的制备方法,其特征在于,包括:

S1、将权利要求1~7任一项所述聚酰亚胺薄膜在真空条件下高温碳化,得到聚酰亚胺碳化膜;

S2、将所述聚酰亚胺碳化膜高温石墨化,得到高导热石墨膜。

9.根据权利要求8所述的高导热石墨膜的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,高温碳化的具体步骤包括:先以5~10℃/min的升温速率升温至300~500℃,保温10~60min;再以2~10℃/min的升温速率升温至700~900℃,保温10~60min;再以2~10℃/min的升温速率升温至1100~1300℃,保温10~60min;

优选地,所述步骤S2中,高温石墨化的具体步骤包括:先以5~10℃/min的升温速率升温至1700~1900℃,保温10~30min;再以2~10℃/min的升温速率升温至2100~2300℃,保温10~30min;再以2~10℃/min的升温速率升温至2500~2700℃,保温10~30min;

优选地,所述步骤S2中,高导热石墨膜的密度为2.0~2.2g/cm3

10.一种高导热石墨膜,其特征在于,由权利要求8或9所述的制备方法制得。

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