[发明专利]一种写辅助装置及其工作方法、存储器

说明书

本发明实施例公开一种写辅助装置及其工作方法、存储器，涉及计算机技术领域，能够有效提高写辅助效率和适配性。所述装置包括：电压识别部，一端连接被监测电压，另一端连接辅助电压生成部，用于从预设的电压区间集合中识别所述被监测电压所处的电压区间，得到目标电压区间；所述辅助电压生成部，一端连接所述电压识别部，另一端连接写数据传输部，用于根据所述目标电压区间产生辅助电压，并将所述辅助电压施加于所述写数据传输部，以辅助所述写数据传输部将待写入的数据写入目标位置。本发明适用于存储器写操作中。

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种写辅助装置及其工作方法、存储器。

背景技术

低功耗在当今的集成电路设计中是一个重要的课题，对于芯片而言，其动态功耗和静态功耗都和电源电压直接相关，因此降低电源电压是实现低功耗的有效途径之一。

然而，对于很多电路而言，电源电压降低虽然可以降低功耗，但也可能给电路性能带来不利影响。例如，对SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存储器)存储电路而言，SRAM存储电路中设置有SRAM存储单元阵列。SRAM存储单元阵列由若干个存储单元bitcell组成，每个存储单元可以用于存储一位二进制数0或1。电源电压降低虽然可以节省bitcell的工作功耗，也会导致写操作时用于传输写入数据的晶体管(也称传输管)的栅源压差变小，写入电流变小，因此会拉长写入时间，甚至可能出现写失败的情况。为此，写辅助技术应运而生。

写辅助技术具体可以通过多种方式实现，例如，可以在写操作期间，对存储单元的位选线加一个负向冲击电压，使传输管的源极电压降低，以便提高该传输管的栅源压差，加大写入电流，提高写成功率；或者，可以在写操作期间，对存储单元的字选线加一个正向冲击电压，使传输管的栅压提高，进而提高该传输管的栅源压差，加大写入电流，提高写成功率。然而，对于大量出产的芯片，工艺偏差时常在不同芯片间发生，具体哪个芯片的哪个电压需要一个多大的冲击电压需要经过大量的测试，并将测试结果烧入该芯片的熔断阵列。这样，一方面导致冲击电压的确定过程非常低效，另一方面，由于在熔断阵列中烧入了固定值，写辅助开启的冲击电压无法适配不同的电压场景。

针对写辅助开启冲击电压效率低下且适配性差的问题，相关技术中尚无有效的解决方案。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种写辅助装置及其工作方法、存储器，能够有效提高写辅助效率和适配性。

第一方面，本发明实施例提供写辅助装置，包括：电压识别部，一端连接被监测电压，另一端连接辅助电压生成部，用于从预设的电压区间集合中识别所述被监测电压所处的电压区间，得到目标电压区间；所述辅助电压生成部，一端连接所述电压识别部，另一端连接写数据传输部，用于根据所述目标电压区间产生辅助电压，并将所述辅助电压施加于所述写数据传输部，以辅助所述写数据传输部将待写入的数据写入目标位置。

可选的，所述电压识别部包括：分压模块，输入端与所述被监测电压相连，输出端包括至少一个输出通道，各所述输出通道的输出电压分别为所述被监测电压的一个分压，各所述输出通道的输出电压互不相等；识别模块，与所述分压模块相连，用于根据所述分压模块的各输出通道的输出电压与预设阈值的关系，从预设的所述电压区间集合中识别所述被监测电压所处的电压区间，得到目标电压区间。

可选的，所述识别模块，具体用于：按照预设顺序，将所述分压模块的各输出通道的输出电压与所述预设阈值相比较；在确定其中一个输出通道的输出电压大于所述预设阈值的情况下，放弃后续输出通道的比较操作。

可选的，所述预设顺序为所述输出电压由低到高的顺序。

可选的，所述辅助电压生成部包括：译码模块，与所述电压识别部相连，用于根据所述电压识别部识别出的所述目标电压区间，选通产生所述辅助电压所需的辅助通道；产生模块，与所述译码模块相连，用于通过所述译码模块选通的所述辅助通道产生所述辅助电压。