[发明专利]贵金属结构产生圆二色信号的结构及其制备方法有效
申请号: | 202110573248.7 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113219569B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 温小静;蔡燕敏;林炜鹏;王小怀;余楚迎 | 申请(专利权)人: | 韩山师范学院 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00;G02B1/00;G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/32 |
代理公司: | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人: | 许攀 |
地址: | 521041 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 贵金属 结构 产生 圆二色 信号 及其 制备 方法 | ||
1.一种贵金属结构产生圆二色信号的结构,其特征在于, 所述结构包括:第一结构层、光刻胶层和第二结构层,所述光刻胶层的两侧分别设置有所述第一结构层和所述第二结构层, 且所述第一结构层和所述第二结构层为相互互补的结构,所述第一结构层包括多个周期设置的纳米结构部,所述纳米结构部包括:第一纳米结构块、第二纳米结构块和纳米线,所述第一纳米结构块和所述第二纳米结构块分别设置在所述纳米线的两侧,且所述第一纳米结构块和所述第二纳米结构块为非轴对称结构排布,所述第二结构层中的间隙中填充有光刻胶,其中, 所述第一结构层和所述第二结构层的材料为贵金属材料;所述贵金属结构产生圆二色信号的结构由以下方法制成,包括:
在玻璃基底的一侧使用甩胶机涂覆光刻胶;
烘干所述光刻胶层的一侧的光刻胶,并使用电子束曝光技术对所述光刻胶层一侧的光刻胶按照预设图像进行刻蚀;
使用显影液将刻蚀的基底进行定影,并烘干;
使用蒸发镀膜机按照所述光刻胶层的一侧上刻蚀的形状垂直蒸镀金属结构,得到第一结构层、光刻胶层和第二结构层。
2.根据权利要求 1 所述的贵金属结构产生圆二色信号的结构,其特征在于,所述纳米线的宽度为 40nm-140nm。
3.根据权利要求 2 所述的贵金属结构产生圆二色信号的结构,其特征在于,所述光刻胶层的厚度为 40nm-140nm。
4.根据权利要求 3 所述的贵金属结构产生圆二色信号的结构,其特征在于,所述纳米结构部的所述第一纳米结构块和所述第二纳米结构块的形状为长方形或者平行四边形。
5.根据权利要求 4 所述的贵金属结构产生圆二色信号的结构,其特征在于,所述纳米结构部的所述第一纳米结构块和所述第二纳米结构块的数量为 1 个或 2 个。
6.根据权利要求 5 所述的贵金属结构产生圆二色信号的结构,其特征在于,所述纳米结构部的所述第一纳米结构块和所述第二纳米结构块向所述第二结构层的方向倾斜。
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