[发明专利]校准电路、电池保护芯片及校准电路的校准方法

权利要求书

1.一种校准电路，其特征在于，包括可调电阻R_trim、电阻分压器、第一选路开关、第二选路开关、过压比较器CP1和欠压比较器CP2，所述电阻分压器包括依次串联的电阻R_A、电阻R_B、电阻R_C、电阻R_D和电阻R_E；

所述可调电阻R_trim的一端用于电连接电池单元的正极，所述可调电阻R_trim的另一端电连接所述电阻R_A的一端，所述电阻R_E的另一端用于电连接所述电池单元的负极与地端；

所述电阻R_A与所述电阻R_B的连接处引出过压抽头并电连接至所述第一选路开关的一个输入端，所述电阻R_B与所述电阻R_C的连接处引出过压迟滞抽头并电连接至所述第一选路开关的另一个输入端，所述第一选路开关的输出端电连接所述过压比较器CP1的正相输入端；

所述电阻R_C与所述电阻R_D的连接处引出欠压抽头并电连接至所述第二选路开关的一个输入端，所述电阻R_D与所述电阻R_E的连接处引出欠压迟滞抽头并电连接至所述第二选路开关的另一个输入端，所述第二选路开关的输出端电连接所述欠压比较器CP2的正相输入端；

所述过压比较器CP1和所述欠压比较器CP2的反相输入端均用于接入参考电压。

2.根据权利要求1所述的校准电路，其特征在于，所述第一选路开关为二选一多路器Q₁，所述二选一多路器Q₁的控制信号输入端用于接入过压迟滞的使能信号；

过压迟滞的所述使能信号用于指示所述二选一多路器Q₁将所述过压迟滞抽头接通至所述过压比较器CP1。

3.根据权利要求1或2所述的校准电路，其特征在于，所述第二选路开关为二选一多路器Q₂，所述二选一多路器Q₂的控制信号输入端用于接入欠压迟滞的使能信号；

欠压迟滞的所述使能信号用于指示所述二选一多路器Q₂将所述欠压迟滞抽头接通至所述欠压比较器CP2。

4.根据权利要求3所述的校准电路，其特征在于，所述可调电阻R_trim包括串联的32个节段电阻。

5.根据权利要求4所述的校准电路，其特征在于，各所述节段电阻为高阻多晶硅方块电阻。

6.一种电池保护芯片，其特征在于，包括芯片本体和权利要求1至5任一项所述的校准电路。

7.一种校准电路的校准方法，其特征在于，用于校准权利要求1至5任一项所述的校准电路，所述方法包括以下步骤：

确定所述校准电路的设计参数；所述设计参数包括过压抽头分压比、欠压抽头分压比、过压迟滞抽头分压比、欠压迟滞抽头分压比、可调电阻比值和可调电阻分段数；

测量所述校准电路在未经校准前的过压保护门限值；

利用二进制校准码公式根据所述设计参数与所述过压保护门限值，计算得到校准码；所述校准码用于校准所述校准电路；

采用熔丝编程的方法，将所述校准码写入所述校准电路的芯片。

8.根据权利要求7所述的校准电路的校准方法，其特征在于，所述二进制校准码公式为：

其中，V_{OV_target}表示过压保护门限值修调后的目标值，V_{OV_raw}表示所述未经校准前的过压保护门限值，X_step表示修调步长。