[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质

说明书

本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。

本案是申请日为2019年6月12日、申请号为201980017588.2(国际申请号为PCT/JP2019/023238)的名为“控制方法和等离子体处理装置”这一申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质。

背景技术

已知一种技术，在蚀刻时，通过使施加的离子吸引用的高频功率与等离子体生成用的高频功率的通断(ON·OFF：接通和关断)同步以使离子到达多结晶硅层上，使多结晶硅层的蚀刻速率均匀(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-64915号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在专利文献1中，将作为等离子体生成用的高频功率的生成源功率和作为离子吸引用的高频功率的偏置功率这两个不同频率的高频功率施加到处理容器内以控制蚀刻速率。

本发明提供控制自由基和离子的量和质的技术。

用于解决技术问题的技术方案

依照本发明的一个方式，提供一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示与上述偏置的高频的周期同步的信号、或者由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。

发明效果

依照一个方面，能够控制自由基和离子的量和质。

附图说明

图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的一个例子的图。

图2A是表示一实施方式的控制部的结构的一个例子的图。

图2B是表示一实施方式的利用安装于供电系统的传感器的相位信号进行控制的情况、或者利用与偏置功率的高频的周期同步的信号进行控制的情况的图。

图3是表示一实施方式的与LF的一周期内的相位相应的HF的供给时刻的一个例子的图。

图4是表示一实施方式的与LF的一周期内的相位相应的HF的供给时刻的一个例子的图。

图5是表示一实施方式的LF的一周期内的相位与等离子体密度Ne及自偏置Vdc的关系的一个例子的图。

图6是表示一实施方式的反射波功率的一个例子的图。

图7是表示一实施方式的反射波功率的一个例子的图。

图8是用于说明一实施方式的变形例1的控制方法的图。

图9是用于说明一实施方式的变形例2的控制方法的图。

图10是用于说明一实施方式的变形例3的控制方法的图。