[发明专利]基于堆叠式的低功耗FBAR振荡器电路及其工作方法在审
申请号: | 202110569549.2 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113114167A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 黄继伟;李衍醇;童乔;王科平 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H03H17/02 | 分类号: | H03H17/02 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鸿超;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 堆叠 功耗 fbar 振荡器 电路 及其 工作 方法 | ||
1.一种基于堆叠式的低功耗FBAR振荡器电路,其特征在于,包括:依次连接的:电源端口、电流产生电路单元和基于堆叠式核心振荡电路单元;所述电流产生电路单元用于产生与输入电源电压无关的电流;所述基于堆叠式核心振荡单元用于提供负阻用于补偿谐振回路的能量损耗。
2.根据权利要求1所述的基于堆叠式的低功耗FBAR振荡器电路,其特征在于:所述电源端口用于提供3.3V的电源电压;电路中MOS管的电源电压均为3.3V。
3.根据权利要求1所述的基于堆叠式的低功耗FBAR振荡器电路,其特征在于:所述电流产生电路单元采用Widlar电流镜结构。
4.根据权利要求1所述的基于堆叠式的低功耗FBAR振荡器电路,其特征在于:所述电流产生电路单元包括MOS管PM1、PM2、NM1、NM2、NM3、NM4、PM3和控制电阻Rb,其中,MOS管PM1、PM2和PM3的栅极相连接,漏极也相连接;MOS管PM1、PM2、NM1、NM2的源极和栅极均连接电源端口;MOS管PM3的漏极为产生电流输出端;MOS管NM1和NM2的漏极分别连接MOS管NM3和NM4的源极;MOS管NM3和NM4的栅极相连接,MOS管NM3的漏极经控制电阻Rb接地,NM4的漏极直接接地。
5.根据权利要求1所述的基于堆叠式的低功耗FBAR振荡器电路,其特征在于:所述基于堆叠式核心振荡电路单元包括由负载电容和FBAR谐振器构成的Π型网络形式的带通滤波器,以及N阶反相器;所述N阶反相器为N个并联的反相器。
6.根据权利要求5所述的基于堆叠式的低功耗FBAR振荡器电路,其特征在于:所述N阶反相器用于提供补偿谐振回路能量损失的负阻,所述Π型网络形式的带通滤波器用于提供180°相移和振荡所需的电压增益。
7.根据权利要求5所述的基于堆叠式的低功耗FBAR振荡器电路,其特征在于:所述N阶反相器中每一阶反相器都包括一个反馈电阻RB用于使每阶反相器的输入输出电压相等,每一阶反相器的输出端和输入端分别连接有耦合电容CCG和CCD用于隔直。
8.根据权利要求5所述的基于堆叠式的低功耗FBAR振荡器电路,其特征在于:所述Π型网络形式的带通滤波器包括:负载电容C1、C2,FBAR谐振器;
每一阶反馈电阻RB的两端均分别与该阶反相器的输入端和输出端连接,每一阶反相器的输入端和输出端分别与耦合电容CD和耦合电容CG连接;FBAR谐振器的两端分别与各耦合电容CCG和CCD连接,并分别通过负载电容C1和C2接地;
FBAR谐振器的两端分别与各耦合电容CCG和CCD连接,并分别通过负载电容C1和C2接地;
所述电流产生电路单元的产生电流输出端与第N阶反相器中的PMOS管的源极连接。
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