[发明专利]发光器件及显示器件

说明书

本申请涉及光学技术领域，公开了一种发光器件，其特征在于，包括依次叠设的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及凹陷结构，所述凹陷结构从所述第二半导体层凹陷至所述第一半导体层，以隔离出多个发光单元，所述凹陷结构包括位于所述第一半导体层的凹陷底部；所述第一半导体层包括第一光隔离结构，所述第一光隔离结构在所述凹陷底部的正投影部分或全部地覆盖所述凹陷底部。本申请提供的发光器件，提高发光单元进行衬底转移时转移良率，避免发光单元之间的颜色串扰，还简化了显示器件的结构。本申请还公开了发光器件及显示器件。

技术领域

本申请涉及光学技术领域，例如涉及一种发光器件及显示器件。

背景技术

目前，在显示领域可以使用Micro LED作为发光单元。在对Micro LED进行衬底转移时，由于Micro LED的尺寸极小，数量极多，导致转移效率很低。相关的转移技术如静电吸附、真空吸附、分子间作用力吸附等方法，均存在各种问题，转移良率达不到商业化要求。

并且由于Micro LED之间间隔极小，导致相邻的Micro LED之间容易发生颜色串扰，影响显示效果。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供了一种发光器件及显示器件，以解决发光单元进行衬底转移时转移良率低，以及颜色串扰的技术问题。

本公开实施例提供了一种发光器件，包括依次叠设的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及凹陷结构，所述凹陷结构从所述第二半导体层凹陷至所述第一半导体层，以隔离出多个发光单元，所述凹陷结构包括位于所述第一半导体层的凹陷底部；

所述第一半导体层包括第一光隔离结构，所述第一光隔离结构在所述凹陷底部的正投影部分或全部地覆盖所述凹陷底部。

在一些实施例中，所述第一光隔离结构位于以下位置至少之一：

所述第一半导体层的内部；

所述第一半导体层的出光面。

在一些实施例中，还包括：

第二光隔离结构，设置于所述凹陷结构中。

在一些实施例中，所述第一光隔离结构和所述第二光隔离结构连接或分离，所述第一光隔离结构和所述第二光隔离结构被配置为隔离两个发光单元之间的光。

在一些实施例中，所述第一光隔离结构包括光反射结构和光吸收结构至少之一。

在一些实施例中， 所述光反射结构包括连续排列的锯齿状结构，所述锯齿状结构的凸出方向与所述第一半导体层垂直，所述锯齿状结构的锯齿包括两个锯齿面，两个锯齿面的夹角为预设角度。

在一些实施例中，所述第一半导体层包括第一子层和第二子层，所述第一子层的电阻率低于所述第二子层的电阻率；

所述凹陷底部至少部分位于所述第一子层或所述第二子层。

在一些实施例中，所述凹陷底部全部位于所述第一子层；

所述发光器件还包括一个连接所述第一子层的电极。

在一些实施例中，所述凹陷底部至少部分位于所述第二子层；

所述发光器件中的每个发光单元均包括连接所述第一子层的电极。

在一些实施例中，设置于相邻两个发光单元的电极之间的绝缘结构。

在一些实施例中，所述发光单元，包括：

发光二极管LED、迷你发光二极管Mini LED、微发光二极管Micro LED中至少之一。

本公开实施例还提供了一种显示器件，包括上述的发光器件。