[发明专利]一种倒装银镜LED芯片及芯片制作方法

权利要求书

1.一种倒装银镜LED芯片，其特征在于，包括从下至上的P电极层、P型氮化镓层、发光层、N型氮化镓层和蓝宝石衬底层，所述N型氮化镓层上还设置有N电极层，所述P型氮化镓层设置有半圆型的光阻图案。

2.根据权利要求1所述的一种倒装银镜LED芯片，其特征在于，所述光阻图案的形状包括半球型、槽型、锥型或棱台型。

3.根据权利要求1所述的一种倒装银镜LED芯片，其特征在于，所述光阻图案的排列方式包括矩形排列或六角排列。

4.根据权利要求1所述的一种倒装银镜LED芯片，其特征在于，所述P电极层和所述P型氮化镓层的面积相同，所述发光层与所述N电极层并排设置。

5.根据权利要求1所述的一种倒装银镜LED芯片，其特征在于，所述蓝宝石衬底层外侧面设置有凹槽。

6.根据权利要求5所述的一种倒装银镜LED芯片，其特征在于，所述凹槽包括圆弧型凹槽或者圆台型凹槽。

7.根据权利要求5所述的一种倒装银镜LED芯片，其特征在于，所述凹槽设置有若干个，且相邻两个凹槽的开口相连排布或者间断排布。

8.如权利要求1-7任一项所述的倒装银镜LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，进而形成GaN外延片；

(2)采用光刻技术，在P型氮化镓外延片表面均匀的涂覆光刻胶，经过曝光显影后，在P型氮化镓表面形成光阻图案；

(3)利用ICP刻蚀或湿法刻蚀，将光阻图形刻蚀在P型氮化镓表面，经过湿法去胶后，即可完成P型氮化镓表面的图案化；

(4)在图案化的P型氮化镓表面沉积Ag层作为电流扩散层和反射层；

(5)再将GaN外延片无Ag层覆盖部分进行刻蚀，形成MESA台面在GaN外延片上的MESA台面，制作N电极，完成LED芯片的制备。