[发明专利]测定异常检测装置及测定异常检测方法有效
申请号: | 202110565378.6 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN113720252B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 伊藤敦 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | G01B7/06 | 分类号: | G01B7/06;C23C14/54;C23C14/24 |
代理公司: | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 洪磊 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测定 异常 检测 装置 方法 | ||
1.一种测定异常检测装置,当使用对晶体振荡器的发送信号的波形和对来自所述晶体振荡器的所述发送信号响应的接收信号的振动波形之间的相关关系计算在所述晶体振荡器堆积的膜厚的时间变化率时,作为测定异常而检测所述膜厚的时间变化率暂时增减的现象,
在所述测定异常检测装置中,
对根据所述相关关系导出的相位或者虚数部设置基准,利用所述基准确定能够追随所述测定异常的标本,对所述标本的时间变化量是否由所述测定异常引起进行评价,由此检测所述测定异常,
所述基准是所述晶体振荡器中的导纳的虚数部或者阻抗的虚数部,
所述标本是所述晶体振荡器中的导纳的实数部或者阻抗的实数部。
2.根据权利要求1所述的测定异常检测装置,其中,
所述测定异常检测装置具备:
计算部,其计算所述膜厚的时间变化率;
检测部,其将所述标本的时间变化量在正常范围外作为所述测定异常;以及
控制部,其执行用于对所述检测部刚刚检测出所述测定异常之前的所述计算部的计算结果进行保持的保持处理,在所述标本的时间变化量返回正常范围内时解除所述保持处理。
3.根据权利要求1或2所述的测定异常检测装置,其中,
使用用于收集所述相关关系的参数的第1传感器部和用于收集所述相关关系的参数的第2传感器部,
在使用一方传感器部而得到的所述标本的时间变化量的评价中检测出所述测定异常时,使用由另一方传感器部收集的所述相关关系的参数计算所述膜厚的时间变化率。
4.根据权利要求3所述的测定异常检测装置,其中,
两个电极位于所述晶体振荡器中与蒸镀源对置的侧面,
所述第1传感器部具备一方电极,
所述第2传感器部具备另一方电极。
5.一种测定异常检测方法,在使用对晶体振荡器的发送信号的波形和对来自所述晶体振荡器的所述发送信号响应的接收信号的振动波形之间的相关关系计算在所述晶体振荡器堆积的膜厚的时间变化率时,作为测定异常而检测所述膜厚的时间变化率暂时增减的现象,
在所述测定异常检测方法中,
对根据所述相关关系导出的相位或者虚数部设置基准,利用所述基准确定能够追随所述测定异常的标本,评价所述标本的时间变化量是否由所述测定异常引起,由此检测所述测定异常,
所述基准是所述晶体振荡器中的导纳的虚数部或者阻抗的虚数部,
所述标本是所述晶体振荡器中的导纳的实数部或者阻抗的实数部。
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