[发明专利]一种半导体制造方法及其结构

权利要求书

1.一种半导体制造方法，其特征在于，至少包括，

提供一基底，所述基底包括堆叠结构；

形成金属互联层于所述堆叠结构上；

形成金属层于所述金属互联层上；

形成氧化层于所述金属层上；

对所述氧化层及所述金属层进行刻蚀，以形成沟槽；

形成第一隔离氧化层于所述沟槽内，所述第一隔离氧化层覆盖所述沟槽底部；

形成第二隔离氧化层于所述第一隔离氧化层上；

形成氮化层于所述第二隔离氧化层上。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成第一隔离氧化层于所述沟槽上包括：

获取第一阶段淀积速率及第一阶段刻蚀速率；

依据所述第一阶段淀积速率及所述第一阶段刻蚀速率，预设第一阶段淀积刻蚀比；

根据所述第一阶段淀积刻蚀比，填充所述沟槽，且在低于所述金属层顶部的位置，形成第一隔离氧化层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一阶段淀积速率包括在循环沉积刻蚀过程中的净沉积速率和刻蚀速率。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一阶段淀积刻蚀比的范围为2~3。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成第二隔离氧化层于所述第一隔离氧化层上包括：

获取第二阶段淀积速率及第二阶段刻蚀速率；

依据所述第二阶段淀积速率及所述第二阶段刻蚀速率，预设第二阶段淀积刻蚀比；

根据所述第二阶段淀积刻蚀比，填充所述沟槽，且在位于所述沟槽的顶部及所述氧化层顶部的位置，形成第二隔离氧化层。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二阶段淀积刻蚀比的范围为6~8。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二隔离氧化层全覆盖所述第一隔离氧化层顶部及所述氧化层顶部。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二隔离氧化层包括填埋层及中介层，所述填埋层的深宽比小于所述沟槽的深宽比。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沟槽非密集区为第一区域，所述沟槽密集区为第二区域，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度。

10.一种半导体结构，其特征在于，使用权利要求1-9任一所述的制造方法，其包括，

基底，包括堆叠结构；

金属互联层，其设置在所述堆叠结构上；

金属层，其设置在所述金属互联层上；

氧化层，其设置在所述金属层上；

沟槽，其设置在所述氧化层上，且贯穿于所述氧化层，并位于所述基底上；

第一隔离氧化层，其设置在所述沟槽上；

第二隔离氧化层，其设置在所述第一隔离氧化层上；

氮化层，其设置在所述第二隔离氧化层上，且全局覆盖所述第二隔离氧化层。