[发明专利]一种扇出型封装方法及扇出型封装器件

说明书

本申请公开了一种扇出型封装方法及扇出型封装器件，所述扇出型封装方法包括：提供扇出型封装体，所述扇出型封装体包括晶圆以及位于所述晶圆的功能面一侧的第一介电层和焊球，其中，所述第一介电层包括第一开口，所述焊球位于所述第一开口内；在所述第一介电层上形成第二介电层，且所述第二介电层在对应所述焊球的位置设置有第二开口，所述焊球从所述第二开口中露出。通过上述方式，本申请能够解决因热膨胀系数不匹配导致的球颈断裂问题，延长产品的使用寿命。

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种扇出型封装方法及扇出型封装器件。

背景技术

随着集成电路制造业的不断发展，对集成电路的封装技术要求也在不断的提高。现有的封装技术包括球栅阵列封装、芯片尺寸封装、圆片级封装、三维封装和系统封装等。其中，扇出型封装技术以其小型化、低成本和高密度的优点迅速成为半导体先进封装技术中的热点。

现有的扇出型封装技术中，基于芯片级封装的半导体器件包括多个焊球，通常采用在再分布线层上形成凸块底部金属(UBM)的方式对焊球进行设置，将多个焊球电镀固定于多个凸块底部金属开口的上方。该方式能够增加焊球与金属层之间的黏着力，避免其在后续上板过程中出现焊球断裂的现象。

然而，随着目前扇出型封装尺寸的不断增大，芯片的外围因扇出型封装结构中的不同材料之间发生热膨胀效应，容易产生过大的应力进而导致焊球球颈发生断裂，出现开路问题影响半导体器件产品的使用。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种扇出型封装方法及扇出型封装器件，能够解决因热膨胀系数不匹配导致的球颈断裂问题，延长芯片的使用寿命。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种扇出型封装方法，包括：提供扇出型封装体，所述扇出型封装体包括晶圆以及位于所述晶圆的功能面一侧的第一介电层和焊球，其中，所述第一介电层包括第一开口，所述焊球位于所述第一开口内；在所述第一介电层上形成第二介电层，且所述第二介电层在对应所述焊球的位置设置有第二开口，所述焊球从所述第二开口中露出。

其中，所述在所述第一介电层上形成第二介电层，且所述第二介电层在对应所述焊球的位置设置有第二开口，所述焊球从所述第二开口中露出的步骤，包括：在所述第一介电层以及焊球上涂布形成第二介电层，其中，所述第二介电层覆盖于所述焊球的表面；在所述第二介电层上形成第二开口，所述第二开口的位置与所述焊球的位置对应。

其中，所述在所述第二介电层上形成第二开口，所述第二开口的位置与所述焊球的位置对应的步骤，包括：在所述第二介电层上形成光阻，所述光阻在对应所述焊球的位置设有第三开口，部分所述第二介电层从所述第三开口中露出；去除从所述第三开口中露出的部分所述第二介电层，以形成第二开口。

其中，所述去除从所述第三开口中露出的部分所述第二介电层，以形成第二开口的步骤之后，包括：去除所述光阻；烘烤固化所述焊球。

其中，所述扇出型封装方法还包括：在所述第二介电层上形成第三介电层，且所述第三介电层在对应所述焊球的位置设置有第四开口，所述焊球从所述第四开口中露出。

其中，所述提供扇出型封装体的步骤，包括：在所述晶圆的所述功能面上形成第一再布线层，所述第一再布线层与所述功能面上的焊盘电连接；在所述第一再布线层上形成所述第一介电层，且所述第一介电层上设置有第一开口；在所述第一开口内设置所述焊球，所述第一再布线层直接与所述焊球电连接。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种扇出型封装器件，包括：扇出型封装体，包括晶圆以及位于所述晶圆的功能面一侧的第一介电层和焊球，其中，所述第一介电层包括第一开口，所述焊球位于所述第一开口内；第二介电层，位于所述第一介电层上，且所述第二介电层在对应所述焊球的位置设置有第二开口，所述焊球从所述第二开口中露出。