[发明专利]一种石英反应腔的清洗方法有效
| 申请号： | 202110560081.0 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113231407B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张哲;许正贤;刘波 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | B08B9/023 | 分类号： | B08B9/023;B08B9/027;B08B9/08 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石英 反应 清洗 方法 | ||
1.一种石英反应腔的清洗方法，用于清洗560℃下对晶圆表面进行了磷掺杂多晶硅薄膜工艺的高温扩散炉，其特征在于，包括以下步骤：
以预设数量的保温石英封堵所述石英反应腔的炉口，所述保温石英的数量少于20片，用以将所述石英反应腔内的温度控制目标温度，所述目标温度为400℃附近；以及
以4个预设时间段的管控方式通过蚀刻气体对所述石英反应腔内的多晶硅残留进行清洗。
2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述保温石英的数量为9片～15片。
3.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，以分段式时间管控方式对所述石英反应腔进行清洗包括：
根据第一预设时间对所述石英反应腔的炉口处的气管的管壁进行清洗；
根据第二预设时间对所述石英反应腔的内管的部分长度的内壁进行清洗；
根据第三预设时间对所述石英反应腔的内管的部分外壁以及剩余部分的内壁进行清洗，还对外管正对炉口的部分内壁进行清洗；以及
根据第四预设时间对所述石英反应腔的外管的剩余部分进行清洗，以完成对石英反应腔的清洗。
4.如权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，清洗时的蚀刻气体包括ClF3和N2的混合气体。
5.如权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在所述第一预设时间、第二预设时间和第四预设时间的清洗时，ClF3和N2的体积比为1/1，且ClF3的通入流量小于1标准升每分钟，反应压力小于1torr。
6.如权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在所述第三预设时间的清洗时，ClF3和N2的体积比为1/1，且ClF3的通入流量大于1标准升每分钟，反应压力为1torr。
7.如权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第一预设时间为15min～29min。
8.如权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第二预设时间为35min～45min。
9.如权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第三预设时间为大于100min。
10.如权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第四预设时间为50min～70min。
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