[发明专利]3D存储器件的制造方法及3D存储器件在审
| 申请号： | 202110559965.4 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113629059A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李磊;蒲浩;李拓;许宗珂 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制造 方法 | ||
1.一种3D存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
形成位于所述衬底上方的叠层结构；
形成贯穿所述叠层结构的多个沟道柱；以及
形成贯穿所述叠层结构的多个假沟道柱，各个所述假沟道柱的至少一部分为氧化层，
其中，采用湿法氧化工艺氧化多晶硅层以形成所述氧化层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述多个假沟道柱的方法包括：
形成贯穿所述叠层结构的多个开孔；
形成位于所述多个开孔内的所述多晶硅层；以及
将所述多晶硅层氧化以形成所述氧化层，从而形成各个所述假沟道柱的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述多晶硅层形成于所述开孔的暴露表面。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述将所述多晶硅层氧化以形成所述氧化层之后，所述方法还包括：填充所述开孔，形成覆盖所述氧化层的氧化物。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，采用缓蚀剂控制增强法ICE生长法形成所述氧化物。
6.根据权利要求3至5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述假沟道柱的侧壁厚度不小于10纳米。
7.一种3D存储器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上方的叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；
贯穿所述叠层结构的多个沟道柱；以及
贯穿所述叠层结构的多个假沟道柱，各个所述假沟道柱的至少一部分为氧化层，
其中，所述氧化层采用湿法氧化工艺氧化多晶硅层而形成。
8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其特征在于，所述氧化层形成所述多个假沟道柱的侧壁。
9.根据权利要求8所述的3D存储器件，其特征在于，所述假沟道柱还包括：覆盖所述氧化层的氧化物。
10.根据权利要求8或9所述的3D存储器件，其特征在于，所述假沟道柱的侧壁厚度不小于10纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110559965.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能热敏充电装置
- 下一篇：一种转氨酶突变体及其编码基因与应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
