[发明专利]制造化合物半导体霍尔元件的方法

权利要求书

1.一种制造化合物半导体霍尔元件的方法，包括：

在半导体单晶衬底上外延生长化合物半导体材料膜，作为所述化合物半导体霍尔元件的磁感应功能层；

在化合物半导体材料膜和基板的至少一个的表面上涂覆粘结层，并通过粘结层将化合物半导体材料膜与基板面对面键合在一起；

选择性移除半导体单晶衬底和化合物半导体材料膜的一部分，并且通过图形化工艺来形成磁感应部；

在磁感应部的周边形成电极部；

在磁感应部和电极部的至少一部分上形成一保护层并且暴露出电极部的金属接触区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述外延生长的化合物半导体材料膜包括第一部分和位于第一部分之上的第二部分，其中所述第二部分的迁移率大于第一部分的迁移率。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

移除化合物半导体材料膜的一部分包括移除化合物半导体材料膜的第一部分。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，

通过粘结剂层将化合物半导体材料膜与基板面对面键合在一起包括：通过键合机借助于粘结层中的粘结剂将基板与化合物半导体材料膜键合在一起。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

选择性地移除半导体单晶衬底包括通过机械研磨或化学腐蚀的方式移除半导体单晶衬底。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述化学腐蚀的溶液包括磷酸和双氧水混合溶液或者盐酸溶液。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

选择性地移除化合物半导体材料膜的第一部分包括采用干法或湿法刻蚀的方式去除掉所述第一部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

仅移除半导体单晶衬底的所述磁感应部的迁移率大于40000cm²/Vs，磁感应部的厚度为500nm-10μm。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

同时移除半导体单晶衬底和一部分化合物半导体材料膜的所述磁感应部的迁移率大于50000cm²/Vs且小于78000cm²/Vs，磁感应部的厚度为10nm-9μm。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述粘结层包括聚酰亚胺或环氧树脂。