[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其在共通的半导体基板形成了晶体管和二极管，

其中，所述半导体基板具有：

晶体管区域，其形成有所述晶体管；以及

二极管区域，其形成有所述二极管，

所述晶体管区域具有：

第1导电型的第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；

第2导电型的第2半导体层，其设置于所述第1半导体层之上；

第1导电型的第3半导体层，其与所述第2半导体层相比设置于所述半导体基板的第1主面侧；

第2导电型的第4半导体层，其设置于所述第3半导体层之上；

第2电极，其与所述第4半导体层电连接；以及

第1电极，其与所述第1半导体层电连接，

所述二极管区域具有：

第2导电型的第5半导体层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面侧；

所述第2半导体层，其设置于所述第5半导体层之上；

所述第3半导体层，其与所述第2半导体层相比设置于所述半导体基板的所述第1主面侧；

第1导电型的第6半导体层，其设置于所述第3半导体层之上；

所述第2电极，其与所述第6半导体层电连接；

所述第1电极，其与所述第5半导体层电连接；以及

寿命控制层，其到达比从所述第1主面侧起的所述第3半导体层的厚度方向端部和从所述第2主面侧起的所述第5半导体层的厚度方向端部之间的所述第2半导体层的中间位置深的位置，由晶体缺陷层构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

就所述寿命控制层而言，形成晶体缺陷的密度峰值的深度即晶体缺陷密度最大深度设定于比所述中间位置深的位置。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述寿命控制层设定为比所述中间位置深且没有到达所述第5半导体层的深度。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述寿命控制层具有伸出部，该伸出部跨过所述二极管区域和所述晶体管区域的边界而一部分从所述二极管区域伸出到所述晶体管区域。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板至少在设置有所述二极管区域及所述晶体管区域的区域的周围具有末端区域，

所述寿命控制层具有伸出部，该伸出部跨过所述二极管区域和所述末端区域的边界而一部分从所述二极管区域伸出到所述末端区域。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中，

在将从所述第3半导体层的所述厚度方向端部至所述中间位置为止的厚度设为t1，将从所述中间位置至所述晶体缺陷密度最大深度为止的厚度设为t2的情况下，

所述伸出部从所述边界起的平面方向的伸出宽度w设定为w((3×t1)-t2)/2。