[发明专利]振荡器电路及锁相环电路

权利要求书

1.一种振荡器电路，其特征在于，包括电感、电容、第一晶体管、第二晶体管、电流偏置电路、第一电阻、第二电阻、第三晶体管、第四晶体管、第三电阻、正向输出端和负向输出端；

所述电感的第一端、所述第一晶体管的第三引脚、所述第二晶体管的第一引脚以及所述第四晶体管的第一引脚分别与所述电容的第一端相连接，所述电感的第二端、所述第二晶体管的第三引脚、所述第一晶体管的第一引脚以及所述第三晶体管的第一引脚分别与所述电容的第二端相连接；

所述第一晶体管的第二引脚以及所述第二晶体管的第二引脚分别与所述电流偏置电路的第一端相连接；

所述第三晶体管的第二引脚、所述第四晶体管的第二引脚分别与所述第三电阻的第一端相连接；

所述第三晶体管的第三引脚与所述第一电阻的第一端相连接，所述第四晶体管的第三引脚与所述第二电阻的第一端相连接；

所述正向输出端与所述第一电阻的第一端相连接，所述负向输出端与所述第二电阻的第一端相连接。

2.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述电感为差分三端电感。

3.根据权利要求2所述的振荡器电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为NMOS场效应管；所述NMOS场效应管的第一引脚为栅极，所述NMOS场效应管的第二引脚为源极，所述NMOS场效应管的第三引脚为漏极；所述电流偏置电路的第二端用于接地；所述差分三端电感的第三端用于连接电源电压。

4.根据权利要求2所述的振荡器电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为PMOS场效应管；所述PMOS场效应管的第一引脚为栅极，所述PMOS场效应管的第二引脚为源极，所述PMOS场效应管的第三引脚为漏极；所述电流偏置电路的第二端用于连接电源电压；所述差分三端电感的第三端用于接地。

5.根据权利要求2所述的振荡器电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为三极管；所述三极管的第一引脚为基极，所述三极管的第二引脚为发射极，所述三极管的第三引脚为集电极；所述电流偏置电路的第二端用于接地；所述差分三端电感的第三端用于连接电源电压。

6.根据权利要求1-5任一项所述的振荡器电路，其特征在于，所述电流偏置电路为电流镜，所述电流镜包括带隙基准源、第九晶体管和第十晶体管；所述第九晶体管的第一引脚和所述第十晶体管的第一引脚相连接；所述第九晶体管的第二引脚和所述第十晶体管的第二引脚相连接；所述第九晶体管的第一引脚以及第三引脚分别与所述带隙基准源相连接；所述第十晶体管的第三引脚用于作为所述电流偏置电路的第一端，所述第十晶体管的第二引脚用于作为所述电流偏置电路的第二端。

7.根据权利要求6任一项所述的振荡器电路，其特征在于，所述第九晶体管和所述第十晶体管均为NMOS场效应管；所述第九晶体管的第一引脚为栅极，所述第九晶体管的第二引脚为源极，所述第九晶体管的第三引脚为漏极；所述第十晶体管的第一引脚为栅极，所述第十晶体管的第二引脚为源极，所述第十晶体管的第三引脚为漏极。