[发明专利]基于K-K变换与谱线微分的变压器扩展德拜模型参数辨识法有效
| 申请号: | 202110558319.6 | 申请日: | 2021-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN113297733B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 邹阳;林锦煌;何津;翁祖辰;陈序麒;俞豪奕 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
| 主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G01R27/26;G01R27/02 |
| 代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 郭东亮;蔡学俊 |
| 地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 变换 微分 变压器 扩展 模型 参数 辨识 | ||
1.基于K-K变换与谱线微分的变压器扩展德拜模型参数辨识法,所述扩展德拜模型为反映变压器油纸绝缘系统内部介电响应过程的等效模型,且变压器油纸绝缘系统的几何电容/绝缘电阻对复电容实部/虚部无作用,其特征在于:所述辨识法包括以下步骤;
步骤S1、测量变压器油纸绝缘系统油纸绝缘样品的复电容,分别对测量复电容实部和虚部进行K-K变换得到计算复电容的实部和虚部,由计算复电容谱线减去测量复电容谱线解耦出几何电容谱线、绝缘电阻谱线与弛豫极化谱线后,利用最小二乘直线拟合计算几何电容参数和绝缘电阻参数;
步骤S2、获取极化复电容实部的极化等效电路的复电容实部/虚部微分谱线以及微分子谱线,计算极化电阻;
步骤S3、基于谱线微分法对极化支路数和极化支路参数进行辨识;
所述步骤S1中K-K变换以公式表述为:
其中P.V.表示柯西主值积分,以上述公式表述的K-K关系计算得到复极化率虚部或实部;
所述变压器油纸绝缘系统中,FDS测量得到的复电容实部中包含几何电容的贡献,复电容虚部包含绝缘电阻的贡献,且几何电容/绝缘电阻对计算复电容虚部/实部无作用,其几何电容谱线的计算方法为测量复电容实部减去计算复电容实部,其绝缘电阻谱线的计算方法为将测量复电容虚部减去计算复电容虚部,除去几何电容谱线、绝缘电阻谱线后的剩余谱线为极化复电容谱线;上述的复电容实部C'(ω)和复电容虚部C”(ω)分别以公式表示为:
因而绝缘电阻Rg与几何电容Cg以公式表示为:
经上述计算获得变压器油纸绝缘系统的几何电容谱线和绝缘电阻谱线后,再利用最小二乘直线拟合计算几何电容参数和绝缘电阻参数。
2.根据权利要求1所述的基于K-K变换与谱线微分的变压器扩展德拜模型参数辨识法,其特征在于:所述极化复电容实部的极化等效电路中,其复电容实部/虚部微分谱线以及微分子谱线具备以下特征;
特征A、极化等效电路中,其支路复电容实部微分谱线由多个具有单峰值的子谱线叠加而成,复电容虚部微分谱线由多个具有单波谷和单峰值的子谱线叠加而成;
特征B、最大极化电容极化支路的实部微分子谱线峰值点与叠加后的微分谱线的峰值点基本重合,较小极化电容极化支路的实部微分子谱线峰值点与对应的微分谱线的峰值点之间存在覆盖和偏移现象;
特征C、各复电容实部微分子谱线的峰值点坐标为(ln1/τi,1/4CPi),其极化电阻Rpim的计算方法为,先根据复电容实部微分谱线的最大峰值点(xm,ym),求解最大极化电容的极化支路参数极化电容Cpim以及弛豫时间常数τim,再将后者除以前者,以公式表述为
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