[发明专利]一种掺铈钇铝石榴石闪烁晶体表面蛾眼式微结构及其制备方法

说明书

一种在掺铈钇铝石榴石闪烁晶体表面使用反应离子束刻蚀的具有二维周期阵列的蛾眼式微结构，微结构参数包括周期、深度以及占空比，由闪烁体的中心发射波长决定。本发明的表面蛾眼式微结构能够有效提升掺铈钇铝石榴石晶体的光提取效率，增强闪烁体的光输出，本发明涉及工艺成熟，在辐射探测领域中具有重要应用价值。

技术领域

本发明属于晶体表面加工领域，具体涉及一种应用于射线探测的掺铈钇铝石榴石(Ce:YAG)晶体表面蛾眼式微结构的制备方法。

背景技术

掺铈钇铝石榴石(Ce:YAG)晶体是一种具有优良闪烁性能的闪烁晶体，在高能射线探测成像、安检、医疗和军事等领域都有重要应用，但由于晶体的高折射率使得界面处存在全反射，出射角度大于临界角的光子被限制在晶体内，从而导致光提取效率低下，降低器件探测效率。

为改善传统闪烁体的光提取效率低下问题，本发明借助反应离子束刻蚀技术在晶体表面制备蛾眼式微结构，有效提升闪烁体的光提取效率。

发明内容

本发明针对上述问题，在闪烁晶体掺铈钇铝石榴石表面制备增透微结构。根据发射中心波长设计相应微结构参数，通过双光束干涉曝光和反应离子束刻蚀制备结构，从而提高掺铈钇铝石榴石晶体的光提取效率。

本发明的技术方案具体如下：

一种掺铈钇铝石榴石闪烁晶体表面蛾眼式微结构，其特征在于，表面蛾眼式微结构通过刻蚀基底形成，该表面微结构具有二维周期性阵列结构，该结构的周期、深度以及占空比应满足0度出射时在中心发射波长及附近光谱范围内具有高透射率。

所述的周期阵列结构的周期为600-900nm。

所述的周期阵列结构的深度为90-270nm。

所述的周期阵列占空比为0.4-0.6。

一种掺铈钇铝石榴石表面蛾眼式微结构制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤1)清洁掺铈钇铝石榴石晶体，并在该掺铈钇铝石榴石表面旋涂均匀厚度的光刻胶；

步骤2)采取双光束干涉系统进行首次曝光，再将掺铈钇铝石榴石晶体的曝光面转动90°进行二次曝光；

步骤3)显影操作得到符合设计要求的掩膜图形；

步骤4)借助反应离子束刻蚀技术将制备的掩膜图形转移至掺铈钇铝石榴石晶体基底上；

步骤5)清除表面残留物，得到表面二维周期阵列结构。

本发明的有益效果在于：

在掺铈钇铝石榴石闪烁晶体表面刻蚀蛾眼式微结构从而提高晶体的光提取效率，表面的二维周期微结构，能够有效提高发射中心波长一定谱宽范围内的透过率，增强光输出，这种在基底上制备的微结构不易脱落并且能够得到较大面积的均匀结构，对于闪烁体探测系统具有重要应用价值。

附图说明

图1是具有表面蛾眼式微结构的闪烁体示意图。

图2是表面蛾眼式微结构在原子力显微镜下的测试图像。

图3是表面蛾眼式微结构的理论透射曲线。

图4是平板结构与表面蛾眼式微结构的X射线激发光谱对比图。

图中:Λ是微结构周期，H是微结构深度，微结构占空比f＝D/Λ。

具体实施方案

下面结合具体实施例对本发明作进一步描述。

由于掺铈钇铝石榴石中心发射波长为550nm，本发明将针对400nm-700nm波段的透射率作为实施例。该微结构为在基底上直接制备的二维周期阵列的蛾眼式微结构，微结构参数有周期、深度以及占空比等。