[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 202110557665.2 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113345917A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 宋继越;艾飞;宋德伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G06K9/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基底,包括控制元件;
第三金属层,设于所述基底上,所述第三金属层包括第一电极,所述第一电极与所述控制元件电连接;
二极管,设于所述第一电极上;
第一绝缘层,设于所述第三金属层和所述二极管上;
第四金属层,设于所述第一绝缘层上,所述第四金属层包括第二电极,所述第二电极与所述二极管对应设置,且与所述二极管电连接;
第二绝缘层,设于所述第一绝缘层和所述第四金属层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第三金属层还包括触控电极线,所述第四金属层还包括与所述第二电极一体设置的公共电极,所述公共电极与所述触控电极线对应设置,且与所述触控电极线电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述基底还包括开关元件,所述阵列基板还包括第五金属层,所述第五金属层设于所述第二绝缘层上,所述第五金属层包括像素电极,所述像素电极与所述开关元件电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层设置有第一通孔以暴露至少部分所述二极管,所述第二电极通过所述第一通孔与所述二极管电连接。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层设置有第二通孔以暴露至少部分所述触控电极线,所述公共电极通过所述第二通孔与所述触控电极线电连接。
6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述基底与所述第三金属层之间设置有平坦层,所述平坦层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置有第三通孔,所述像素电极通过所述第三通孔与所述开关元件电连接。
7.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述控制元件为第一薄膜晶体管,所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接,所述开关元件为第二薄膜晶体管,所述像素电极与所述第二薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极在所述基底上的正投影覆盖所述二极管在所述基底上的正投影,所述第二电极在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影至少部分重叠。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极在所述基底上的正投影和所述第二电极在所述基底上的正投影分别与所述控制元件在所述基底上的正投影至少部分重叠。
10.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管还包括有源层,所述第一电极在所述基底上的正投影与所述有源层在所述基底上的正投影至少部分重叠。
11.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述二极管为PIN二极管,所述PIN二极管包括第一半导体层和本征半导体层,所述第一半导体层设于所述第一电极上,所述本征半导体层设于所述第一半导体层上。
12.根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述PIN二极管还包括第二半导体层,所述第二半导体层设于所述本征半导体层上。
13.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底包括控制元件;
在所述基底上制备第三金属层,所述第三金属层包括第一电极,所述第一电极与所述控制元件电连接;
在所述第一电极上制备二极管;
在所述第三金属层和所述二极管上制备第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上制备第四金属层,所述第四金属层包括第二电极,所述第二电极与所述二极管对应设置,且与所述二极管电连接;
在所述第一绝缘层和所述第四金属层上制备第二绝缘层。
14.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-12中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的