[发明专利]一种Mini-LED基板通孔的形成方法及电子设备

权利要求书

1.一种Mini-LED基板通孔的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：

获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板，所述玻璃基板包括相对设置的第一表面和第二表面；

采用激光设备在所述玻璃基板的第一表面和第二表面镭射出多个预设形状的通孔外形，其中，所述第一表面和所述第二表面上的通孔外形一一对应；

基于所述通孔外形，进行蚀刻处理，以形成通孔；

对所述通孔进行酸洗处理。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板，包括：

选取所述预设厚度的大尺寸玻璃基板；

对所述大尺寸玻璃基板进行切割，形成所述预设厚度以及所述预设尺寸的玻璃基板。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板之后，所述形成方法还包括：

对所述玻璃基板进行磨边倒角处理。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基于所述通孔外形，进行蚀刻处理，以形成通孔，包括：

将所述玻璃基板放入蚀刻槽内；

开启第一次鼓泡流程进行蚀刻处理。

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一次鼓泡流程中的鼓泡流量为120L/min-240L/min；

蚀刻温度为25℃-30℃；

蚀刻速率为2um/min-3um/min。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述蚀刻处理的蚀刻溶液为氢氟酸溶液。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述对所述通孔进行酸洗处理，包括：

将蚀刻后的玻璃基板放入酸洗溶液中；

开启第二次鼓泡流程进行酸洗处理。

8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第二次鼓泡流程中的鼓泡流量为120L/min-240L/min；

蚀刻温度为25℃-30℃；

蚀刻速率为2um/min-3um/min。

9.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述酸洗溶液为硫酸和氢氟酸的混合溶液；

其中，硫酸：氢氟酸＝20：1。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备至少包括Mini-LED基板；

其中，所述Mini-LED基板上的通孔通过权利要求1-9任一项所述的形成方法形成。