[发明专利]一种电子用高阻隔性TPU薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种介电损耗为0.0042~0.0089的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述电子用高阻隔性TPU薄膜的制备原料以重量份计包括如下组分：

端羟基TPU 40~60份；

紫罗兰醇 5~15份；

石墨烯-水滑石复合物 1~10份；

交联剂 0.1~3份；

乙烯基聚硅氧烷 3~10份；

异氰酸酯类固化剂 1~8份；

所述石墨烯-水滑石复合物通过如下方法进行制备，所述方法包括：将氧化石墨烯、水滑石和溶剂混合并分散，得到分散液；所述分散液与抗坏血酸进行还原反应，得到所述石墨烯-水滑石复合物；

所述氧化石墨烯与水滑石的质量比为(1~3):1；

所述抗坏血酸与氧化石墨烯的质量比为(2~10):1。

2.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述端羟基TPU的羟值为30~110 mg KOH/g。

3.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述端羟基TPU的数均分子量为800~5000 g/mol。

4.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述溶剂为水。

5.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述分散的方法为超声分散。

6.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述还原反应的时间为4~24 h。

7.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述还原反应完成后还包括干燥的步骤。

8.根据权利要求7所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述干燥的方法为喷雾干燥。

9.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述交联剂为有机过氧化物。

10.根据权利要求9所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述有机过氧化物包括过氧化苯甲酰、过氧化二异丙苯、过氧化环己酮或过氧化甲基异丁酮中的任意一种或至少两种的组合。

11.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述乙烯基聚硅氧烷的粘度为500~10000 mPa·s。

12.根据权利要求1所述的电子用高阻隔性TPU薄膜，其特征在于，所述异氰酸酯类固化剂包括TDI三羟基加成物、TDI三聚体、HDI缩二脲或HDI三聚体中的任意一种或至少两种的组合。

13.一种如权利要求1~12任一项所述的电子用高阻隔性TPU薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

（1）将石墨烯-水滑石复合物与紫罗兰醇混合并分散后，将其与乙烯基聚硅氧烷混合，分散均匀，得到物料A；将端羟基TPU与溶剂混合，得到物料B；

（2）将步骤（1）得到的物料A与物料B混合均匀后，向其中加入交联剂和异氰酸酯类固化剂，得到浆料；

（3）将步骤（2）得到的浆料流延成膜，得到所述电子用高阻隔性TPU薄膜。