[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110556966.3 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113345941A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 胡泽虎 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板包括:衬底基板;平坦层,设置于所述衬底基板上;第一电极层,设置于所述平坦层上,所述第一电极层包括在第一方向和第二方向上分别间隔排列的多个第一电极,所述第一方向与所述第二方向相交;第一像素定义层,设置于所述平坦层上,且分别沿所述第一方向和所述第二方向设置于相邻所述第一电极之间的间隔中;第二像素定义层,沿所述第二方向设置于相邻所述第一电极之间的所述第一像素定义层上。避免后续干法蚀刻制程中对平坦层厚度的影响,防止了第二像素定义层图案化时形成凹形,降低出现桥接现象的概率;降低了所需第二像素定义层的厚度,节省了材料,降低了成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
显示技术不断更迭,显示器件朝着多功能和数字化方向发展。大尺寸、高解析度、高色饱、节能、高亮、柔性、透明等逐渐成为技术发展的主流趋势,包括量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)在内的有机发光二极管(OrganicElectroluminesence Display,OLED能够最终实现以上极致性能。
OLED画质优于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),在形态方面有更多的自由度,有轻薄、透明度高、柔性等特点。在OLED技术中,如果做大尺寸,印刷工艺是目前首要的技术选择路线,其中像素定义层或者挡墙层,又影响着印刷品质的好坏,其中桥接是在印刷中常见的问题之一。在目前的工艺中,第一像素定义层需要做到0.4um,设备制成能力有限,不能一次涂布到此厚度,未解决此问题,目前做法是先涂布第一像素定义层到>0.8um,再通过干法蚀刻减薄到0.4um。但是这样会带了问题,在无第一像素定义层的区域,底层平坦层也会被减薄。在第二像素定义层图形化时,第二像素定义层会呈现凹形,在印刷制程中,比较易发生桥接现象。
综上所述,现有技术中存在减薄第一像素定义层容易减薄其它膜层,从而使得第二像素定义层形成凹形,进而发生桥接现象导致不良的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,用于解决现有技术中存在减薄第一像素定义层容易减薄其它膜层,从而使得第二像素定义层形成凹形,进而发生桥接现象导致不良的技术问题。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种显示面板,包括:
衬底基板;
平坦层,设置于所述衬底基板上;
第一电极层,设置于所述平坦层上,所述第一电极层包括在第一方向和第二方向上分别间隔排列的多个第一电极,所述第一方向与所述第二方向相交;
第一像素定义层,设置于所述平坦层上,且分别沿所述第一方向和所述第二方向设置于相邻所述第一电极之间的间隔中;
第二像素定义层,沿所述第二方向设置于相邻所述第一电极之间的所述第一像素定义层上。
在本发明的一些实施例中,所述第二像素定义层在所述平坦层上的正投影覆盖所述第二方向上的所述第一像素定义层在所述平坦层上的正投影。
在本发明的一些实施例中,所述第二像素定义层的截面为梯形,所述第二像素定义层的上表面面积小于所述第二像素定义层的下表面面积。
在本发明的一些实施例中,所述第二像素定义层与所述第一像素定义层的接触面保持水平或者向所述第二像素定义层的一侧凸起。
在本发明的一些实施例中,所述第一像素定义层的厚度大于或者等于所述第一电极层的厚度。
在本发明的一些实施例中,所述第一像素定义层的厚度小于或等于0.4um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的