[发明专利]一种直拉单晶初始复投工艺在审
| 申请号： | 202110556750.7 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN115369475A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 赵国伟;王林;谷守伟;张文霞;王建平;吴树飞;郝瑞军;安伟;菅向红;郭志荣 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直拉单晶 初始 投工 | ||
1.一种直拉单晶初始复投工艺，其特征在于，步骤包括：
载有熔硅原料的石英坩埚的上端面至熔硅液面具有一定高度；
使具有所述一定高度的所述石英坩埚的内侧环壁面产生析晶相变，获得一层α-方石英结构的石英体；
向析晶后的所述石英坩埚进行复投硅原料。
2.根据权利要求1所述的一种直拉单晶初始复投工艺，其特征在于，所述一定高度不小于100mm且不大于300mm；
优选地，所述一定高度为150-250mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种直拉单晶初始复投工艺，其特征在于，所述熔硅原料为装入所述石英坩埚的初始硅原料。
4.根据权利要求3所述的一种直拉单晶初始复投工艺，其特征在于，所述熔硅原料为所述初始硅原料的整料量。
5.根据权利要求1-2、4任一项所述的一种直拉单晶初始复投工艺，其特征在于，在所述石英坩埚析晶前步骤包括：
使所述初始硅原料完全化料并至熔融状态，形成所述熔硅硅液；
所述熔硅硅液在熔融温度下保持一段时间，以使所述一定高度的所述石英坩埚内壁面覆盖一层为所述α-方石英结构石英体的析晶层。
6.根据权利要求5所述的一种直拉单晶初始复投工艺，其特征在于，所述熔融温度为1450-1500℃。
7.根据权利要求6所述的一种直拉单晶初始复投工艺，其特征在于，所述熔硅硅液在所述熔融温度下至少保持0.5h；
优选地，所述熔硅硅液在所述熔融温度下保持时间为0.5-1h。
8.根据权利要求6或7所述的一种直拉单晶初始复投工艺，其特征在于，所述熔硅硅液在熔融后降温至其结晶温度；
优选地，所述熔硅硅液的结晶温度为1400-1450℃。
9.根据权利要求8所述的一种直拉单晶初始复投工艺，其特征在于，再在结晶后的设定时间内向所述石英坩埚进行初次复投装料，并使复投硅料与所述初始硅料完全混合熔融；
复投后所述石英坩埚内的熔硅液面低于所述石英坩埚上端面；
优选地，向所述石英坩埚初次复投装料在结晶后的0.5h内进行操作。
10.根据权利要求9所述的一种直拉单晶初始复投工艺，其特征在于，复投后所述石英坩埚内的熔硅液面至所述石英坩埚上端面的高度不小于40mm且不大于100mm；
优选地，复投后所述石英坩埚内的熔硅液面至所述石英坩埚上端面的高度不小于40mm且不大于70mm。
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