[发明专利]一种导电膜气离式刻蚀工艺有效
申请号: | 202110556165.7 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113488385B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 高中彦 | 申请(专利权)人: | 刘军 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;C09K13/06 |
代理公司: | 江门市博盈知识产权代理事务所(普通合伙) 44577 | 代理人: | 何办君 |
地址: | 529000 广东省江门市蓬江区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导电 膜气离式 刻蚀 工艺 | ||
1.一种导电膜气离式刻蚀工艺,其特征在于:包括以下步骤:
S1、提前根据导电膜材质配制好蚀刻油墨,并依次经过分散、研磨、过滤后备用;
S2、将蚀刻油墨涂布至导电膜上,然后取多个气离微球埋入蚀刻油墨中;
S3、在导电膜背面间歇性施加磁场,迫使气离微球间歇性的对蚀刻油墨进行挤压,使得蚀刻油墨与导电膜充分接触进行蚀刻;
S4、蚀刻结束后撤销磁场,然后进行加热烘干,同时触发气离微球释放气体的动作,使得气体填充至缝隙中有助于蚀刻油墨的剥离;
S5、待蚀刻油墨成膜后,将磁场转移至导电膜上方,从而加速膜的剥离,导电膜上的导电线路即制作完成。
2.根据权利要求1所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺,其特征在于:所述步骤S1中导电膜的材质为氧化铟锡透明导电膜。
3.根据权利要求1所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺,其特征在于:所述步骤S1中蚀刻油墨按以下成分及重量百分比进行配制:20%的有机与无机混合酸液、10%的聚醋酸乙烯酯、20%的聚乙烯醇树脂、13%的无机填料、30%的水以及7%的其他助剂或颜料。
4.根据权利要求1所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺,其特征在于:所述步骤S2中蚀刻油墨采用丝网印刷的方式进行涂布,涂布厚度为150-500μm。
5.根据权利要求1所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺,其特征在于:所述气离微球包括空心压墨球(1)、多根配重须(2)以及多个隔离磁包(3),所述配重须(2)均匀连接于空心压墨球(1)下端面上,所述隔离磁包(3)均匀镶嵌于空心压墨球(1)下端面内。
6.根据权利要求5所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺,其特征在于:所述配重须(2)采用弹性材料制成,且多个配重须(2)远离空心压墨球(1)的一端面保持齐平。
7.根据权利要求5所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺,其特征在于:所述空心压墨球(1)采用轻质导热材料制成空心结构,所述空心压墨球(1)内填充有粉末状的碳酸氢钠。
8.根据权利要求5所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺,其特征在于:所述隔离磁包(3)包括内陷膜(31)、热熔块(32)以及多个磁性颗粒(33),所述内陷膜(31)镶嵌于空心压墨球(1)内端,所述热熔块(32)连接于内陷膜(31)外端,所述磁性颗粒(33)镶嵌于热熔块(32)内。
9.根据权利要求8所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺,其特征在于:所述内陷膜(31)采用防水透气材料制成,所述热熔块(32)采用热熔性材料制成,且热熔块(32)的熔点低于步骤S4中的加热温度。
10.根据权利要求5所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺,其特征在于:所述空心压墨球(1)上侧设有盖墨鳞片(4),所述盖墨鳞片(4)与空心压墨球(1)之间连接有多根均匀分布的弹性拉丝(5)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造