[发明专利]LED陶瓷封装基板及其制备方法

权利要求书

1.一种LED陶瓷封装基板，包括：

陶瓷基板，具有内焊盘；

第一金属镀层，覆盖于所述陶瓷基板的LED芯片安装侧，且与所述内焊盘连接，所述第一金属镀层用于连接所述LED芯片并为所述LED芯片供电；以及

第二金属镀层，覆盖于所述第一金属镀层上，所述第二金属镀层用于反射所述LED芯片发出的光。

2.根据权利要求1所述的LED陶瓷封装基板，其中，所述陶瓷基板包括：

陶瓷外壳；以及

金属电路，镶嵌设置于所述陶瓷外壳；

所述金属电路在所述LED芯片安装侧，形成所述内焊盘；

所述金属电路在所述LED芯片安装侧的对侧，形成能够与外部电路链接的外焊盘。

3.根据权利要求1所述的LED陶瓷封装基板，其中，所述第一金属镀层包括：

正极镀层，用于连接所述LED芯片的正电极；以及

负极镀层，用于连接所述LED芯片的负电极。

4.根据权利要求3所述的LED陶瓷封装基板，其中，所述LED芯片通过锡焊或共晶的方式键合与所述第一金属镀层。

5.根据权利要求3所述的LED陶瓷封装基板，其中，所述正电极通过锡焊或共晶的方式键合于所述正极镀层，所述负电极通过金线键合于所述负极镀层。

6.根据权利要求1所述的LED陶瓷封装基板，其中，所述第二金属镀层设置有窗口，所述窗口用于暴露出与所述LED芯片连接的所述第一金属镀层。

7.根据权利要求1所述的LED陶瓷封装基板，还包括：

围坝，固定设置于所述陶瓷基板上，且包围所述LED芯片。

8.根据权利要求1所述的LED陶瓷封装基板，其中，所述陶瓷基板类型为共烧陶瓷基板、直接键合铜陶瓷基板或直接镀铜陶瓷基板中一种。

9.根据权利要求1所述的LED陶瓷封装基板，其中，所述第二金属镀层为厚度为0.1μm到1μm的金属Al。

10.一种用于制备权利要求1至9任一LED陶瓷封装基板的LED陶瓷封装基板制备方法，包括：

操作S1：将准备好的附有Cu焊盘和电路的陶瓷基板分别置于丙酮、乙醇、去离子水中水浴加热清洗各15分钟；

操作S2：在陶瓷基板的内焊盘上进行涂胶、光刻、显影，通过电子束蒸发沉积得到第一金属镀层，在丙酮、乙醇中水浴加热清洗去胶；

操作S3：在第一金属镀层上进行涂胶、光刻、显影，通过电子束蒸发沉积得到图形化的第二金属镀层，在丙酮、乙醇中水浴加热清洗去胶；以及

操作S4：划裂完成操作S3的陶瓷基板，得到单颗陶瓷封装基板。