[发明专利]芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜在审
申请号: | 202110553596.8 | 申请日: | 2021-05-20 |
公开(公告)号: | CN113717646A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 畠山义治;大西谦司;吉田直子;木村雄大 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/10 | 分类号: | C09J7/10;C09J7/30;C09J133/08;C09J161/06;C09J11/04;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 接合 薄膜 切割 | ||
1.一种芯片接合薄膜,其含有丙烯酸类树脂、酚醛树脂及填料,
所述填料的比表面积为5m2/g以上且100m2/g以下,
所述填料相对于所述丙烯酸类树脂的含有质量比大于0且为1.50以下。
2.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜,其中,吸水率为0.22质量%以下。
3.根据权利要求1或2所述的芯片接合薄膜,其中,
波长1000nm下的平行透过率的值相对于波长250nm下的平行透过率的值之比为2100以上且4500以下。
4.根据权利要求1或2所述的芯片接合薄膜,其中,
所述芯片接合薄膜的厚度相对于所述填料的平均粒径之比为5以上且150以下。
5.一种切割芯片接合薄膜,其具备:
在基材层上层叠有粘合剂层的切割带;和
在所述切割带的所述粘合剂层上层叠的芯片接合层,
所述芯片接合层为权利要求1~4中任一项所述的芯片接合薄膜。
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