[发明专利]半导体结构的制造方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底；在基底上形成第一掩膜层和第二掩膜层，第一掩膜层沿第一方向延伸，第二掩膜层沿第二方向延伸，第一掩膜层与第二掩膜层相交设置；对第一掩膜层进行截断处理，以形成第一子掩膜层；第二掩膜层横跨多个第一子掩膜层，且每一第一子掩膜层的部分侧壁被第二掩膜层覆盖；以第一子掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀基底，以形成有源区；形成隔离结构，并去除未被第二掩膜层所覆盖的第一子掩膜层；去除部分第一子掩膜层后，形成第三掩膜层，且相邻第三掩膜层与第二掩膜层之间具有第一沟槽；沿第一沟槽刻蚀有源区和隔离结构，以形成字线沟槽。本发明实施例能够提高半导体结构的良率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器，其主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多少来代表一个二进制比特(bit)。

DRAM通常包括基底、字线以及有源区等结构。现目前通常采用自对准双重成像技术(Self-aligned Double Patterning,SADP)形成有源区。然而在有源区的形成过程中，有源区容易发生倾斜或倒塌的问题，从而造成结构失效，降低半导体结构的良率。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种半导体结构的制造方法，以提高半导体结构的良率。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多个相互分立的第一掩膜层和多个相互分立的第二掩膜层，所述第一掩膜层沿第一方向延伸，所述第二掩膜层沿第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向不同，所述第一掩膜层与所述第二掩膜层相交设置，每一所述第二掩膜层横跨多个所述第一掩膜层；对所述第一掩膜层进行截断处理，以形成多个相互分立的第一子掩膜层；所述第二掩膜层横跨多个所述第一子掩膜层，且每一所述第一子掩膜层的部分侧壁被所述第二掩膜层覆盖；以所述第一子掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀所述基底，以形成相互分立的有源区；形成位于相邻所述有源区之间的隔离结构，并去除未被所述第二掩膜层所覆盖的所述第一子掩膜层；去除部分所述第一子掩膜层后，在相邻所述第二掩膜层之间形成第三掩膜层，且相邻所述第三掩膜层与所述第二掩膜层之间具有第一沟槽；沿所述第一沟槽刻蚀所述有源区和所述隔离结构，以形成字线沟槽。

另外，形成所述第三掩膜层和所述第一沟槽的步骤包括：在相邻所述第二掩膜层相对的侧壁形成第四掩膜层；在相邻第二掩膜层之间形成所述第三掩膜层，所述第三掩膜层还与所述第四掩膜层相接触；去除所述第四掩膜层，以形成所述第一沟槽。

另外，所述第四掩膜层还位于相邻所述第二掩膜层之间的所述基底上，且所述第四掩膜层围成凹槽；所述形成所述第三掩膜层，包括：形成填充所述凹槽的所述第三掩膜层；所述去除所述第四掩膜层，包括：去除位于所述第二掩膜层侧壁的所述第四掩膜层，保留位于所述基底上的所述第四掩膜层，且剩余的所述第四掩膜层与所述第三掩膜层组成叠层结构；形成所述字线沟槽，包括：以所述第二掩膜层和所述叠层结构为掩膜刻蚀所述有源区和所述基底。

另外，形成所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的步骤包括：在所述基底上形成初始第一掩膜层；在所述初始第一掩膜层上形成相互分立的第七掩膜层，所述第七掩膜层沿第一方向延伸；在所述第七掩膜层的侧壁形成第一侧墙层；去除所述第七掩膜层，并在所述第一侧墙层的侧壁形成第二侧墙层；去除所述第一侧墙层，并以所述第二侧墙层为掩膜刻蚀初始第一掩膜层，以形成所述第一掩膜层；形成位于相邻所述第一掩膜层之间的初始第二掩膜层；采用第二刻蚀工艺对所述初始第二掩膜层进行图形化处理，以形成所述第二掩膜层。

另外，所述第二刻蚀工艺的刻蚀气体包括O₂和Ar。

另外，所述初始第二掩膜层还位于所述第一掩膜层上；在垂直于所述基底顶面的方向上，所述第二掩膜层的顶面高于所述第一掩膜层的顶面。