[发明专利]基于上转换纳米材料填充光子晶体光纤的匀场调光装置在审

专利信息
申请号: 202110548263.6 申请日: 2021-05-19
公开(公告)号: CN113281837A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 冯国英;解翔宇 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 基于 转换 纳米 材料 填充 光子 晶体 光纤 调光 装置
【权利要求书】:

1.基于上转换纳米材料填充光子晶体光纤的匀场调光装置,其特征在于,包括:单根或多根具有贯穿光纤孔洞的光子晶体光纤,且孔洞在光纤截面呈周期性分布,孔洞直径为波长量级,孔洞内部填充有上转换纳米材料,多根光子晶体光纤在同一激光入射下根据所需出射光颜色有序排布组成光子晶体光纤阵列。

2.根据权利要求1所述的匀场调光装置,其特征在于,可产生与入射激光颜色不同,且均匀、非相干的出射光斑或图像。

3.根据权利要求1所述的匀场调光装置,其特征在于,光子晶体光纤直径为0.01mm~1mm,长度为1mm~1000mm。

4.根据权利要求1所述的匀场调光装置,其特征在于,光子晶体光纤孔洞内部附着上转换纳米材料。

5.根据权利要求1所述的匀场调光装置,其特征在于,上转换纳米材料为具有吸收长波长激发光并发射短波长发射光性质的纳米颗粒、纳米管、纳米网、纳米棒或量子点,为单核结构或核-壳/多壳结构。

6.根据权利要求1所述的匀场调光装置,其特征在于,上转换纳米材料发射光波段为380nm~780nm,具有一个或多个发射光谱峰。

7.根据权利要求1所述的匀场调光装置,其特征在于,上转换纳米材料通过静电吸附、配体结合、结晶生长或激光退火等方式附着于光子晶体光纤孔洞内部。

8.根据权利要求1所述的匀场调光装置,其特征在于,光子晶体光纤阵列由单根或多根等长且填充有上转换纳米材料的光子晶体光纤组成,每根光子晶体光纤平行且相距10μm~1000μm。

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