[发明专利]一种小角度斜坡结构及其制作方法

权利要求书

1.一种小角度斜坡结构的制作方法，其特征在于，包括：

刻蚀待处理基底结构，在所述待处理基底结构内形成至少一个凹槽；

在至少一个所述凹槽内填充牺牲材料，使至少一个所述凹槽的表面与所述待处理基底结构的表面齐平；

在所述待处理基底结构的表面沉积第一薄膜层；

刻蚀所述第一薄膜层，在所述第一薄膜层上形成开窗，所述开窗在所述待处理基底结构的表面的垂直投影位于所述牺牲材料在所述待处理基底结构的表面的垂直投影中；

通过所述开窗释放所述凹槽内填充的牺牲材料，形成与所述凹槽对应的空腔；

在所述第一薄膜层上沉积第二薄膜层，并填充所述开窗，形成具有密闭空腔的平面结构；

利用气压差挤压所述平面结构至变形并形成斜坡。

2.根据权利要求1所述的小角度斜坡结构的制作方法，其特征在于，在所述第一薄膜层上沉积第二薄膜层，并填充开窗，形成具有密闭空腔的平面结构，包括：

在真空环境下在所述第一薄膜层上沉积第二薄膜层，并填充所述开窗，形成具有密闭真空腔的平面结构。

3.根据权利要求1所述的小角度斜坡结构的制作方法，其特征在于，利用气压差挤压所述平面结构至变形并形成斜坡，包括：

将所述平面结构置于气压室中并施加设定压强的气压，以使密闭空腔内外形成气压差并产生挤压力，直至所述平面结构变形并形成斜坡。

4.根据权利要求1所述的小角度斜坡结构的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜层的厚度范围在0.5-5μm之间，所述第二薄膜层的厚度范围在1-5μm之间。

5.根据权利要求1所述的小角度斜坡结构的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的材料相同，所述第一薄膜层和/或所述第二薄膜层的材料包括绝缘材料或金属材料。

6.根据权利要求1所述的小角度斜坡结构的制作方法，其特征在于，沿任意平行于所述待处理基底结构的表面的平面横截所述凹槽所获得的形状包括矩形、圆形、环形。

7.根据权利要求1所述的小角度斜坡结构的制作方法，其特征在于，所述开窗包括多个贯穿所述第一薄膜层的开孔，多个所述开孔呈多行或多列排布或呈圆周排布。

8.根据权利要求7所述的小角度斜坡结构的制作方法，其特征在于，所述开孔的口径小于或等于1μm。

9.根据权利要求1所述的小角度斜坡结构的制作方法，其特征在于，所述开窗的位置位于所述斜坡的非底部位置。

10.一种小角度斜坡结构，其特征在于，包括基底结构以及依次层叠于所述基底结构的表面的第一薄膜层和第二薄膜层；

所述基底结构中形成有凹槽，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层覆盖所述基底结构中的凹槽并形成密闭空腔；

所述第一薄膜层上设置有上下贯穿的开窗，所述开窗在所述待处理基底结构的表面的垂直投影位于所述凹槽在所述基底结构的表面的垂直投影中，所述第二薄膜层填充于所述开窗中并覆盖所述第一薄膜层；

所述第一薄膜层和所述第二薄膜层位于所述凹槽所在区域的部分凹陷形成斜坡。