[发明专利]基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法有效
| 申请号: | 202110547221.0 | 申请日: | 2021-05-19 |
| 公开(公告)号: | CN113200534B | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
| 发明(设计)人: | 向旭;刘昱维;徐志康 | 申请(专利权)人: | 重庆交通大学 |
| 主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184;C01B32/194 |
| 代理公司: | 重庆鼎慧峰合知识产权代理事务所(普通合伙) 50236 | 代理人: | 徐璞 |
| 地址: | 400074 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 平面 氧化 石墨 还原 组装 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液;
将氧化石墨烯溶液、还原剂溶液按比例均匀混合形成混合溶液;
将开设有多个通孔的基膜放置于混合溶液表面;所述基膜包括有机膜、无机膜或小孔滤网;
在基膜和混合溶液处于静置状态下对混合溶液进行加热,使石墨烯在基膜的下表面自组装形成石墨烯自组装层;
对石墨烯自组装层进行干燥处理,得到石墨烯自组装薄膜。
2.根据权利要求1所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,所述有机膜为聚四氟乙烯有机固膜,所述无机膜为Al2O3无机膜,所述小孔滤网为金属滤网。
3.根据权利要求1所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,所述通孔的孔径小于或等于5毫米。
4.根据权利要求1所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,所述还原剂溶液为抗坏血酸溶液或硼氢化钠溶液。
5.根据权利要求4所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,所述氧化石墨烯溶液的浓度为1mg/mL~10mg/mL,所述抗坏血酸溶液或硼氢化钠溶液的浓度均为1mg/mL~20mg/mL。
6.根据权利要求5所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,将氧化石墨烯溶液与抗坏血酸溶液或硼氢化钠溶液按体积比1:10到10:1均匀混合形成混合溶液。
7.根据权利要求6所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,在基膜和混合溶液处于静置状态下对混合溶液进行加热时,加热温度为25~95℃、加热时间为20分钟~24小时。
8.根据权利要求1所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,所述干燥处理包括自然风干或真空烘干。
9.一种基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液;
将氧化石墨烯溶液、还原剂溶液按比例均匀混合形成混合溶液;
将混合溶液处于静置状态下进行加热;
将基膜放置于加热的混合溶液表面,使石墨烯在基膜的下表面自组装形成石墨烯自组装层;所述基膜包括有机膜、无机膜或小孔滤网;
对石墨烯自组装层进行干燥处理,得到石墨烯自组装薄膜。
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