[发明专利]一种全光谱选择反射环状侧链液晶低聚物薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种全光谱选择反射环状侧链液晶低聚物薄膜，其特征在于：所述环状侧链液晶低聚物具有手性介晶基元、棒状基元结构的侧链以及环状的主链，结构如式I所示：

；

式I

式I中，x+y为3~5；m为3~11的整数；

M表示式Ⅱ中所示手性介晶基元中的一种：

；

式Ⅱ

式II中，R₁为酯基、酰胺基或者偶氮基团中的一种；R₂为酯基、酰胺基或者偶氮基团中的一种；m为3~11的整数；

N表示式Ⅲ中所示棒状基元中的一种：

；

式Ⅲ

式III中，R₃为酯基、酰胺基或者偶氮基团中的一种；R₄为酯基、酰胺基或者偶氮基团中的一种；n为3~11的整数。

2.一种权利要求1所述的全光谱选择反射环状侧链液晶低聚物薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）取含双键与手性介晶基元的液晶单体1、环状聚甲基含氢硅氧烷；或取含双键与手性介晶基元的液晶单体1、含双键与棒状基元的液晶单体2、环状聚甲基含氢硅氧烷：

液晶单体1结构式如式IV：

式IⅤ

式IV中，m为3~11的整数；M表示式Ⅱ中所示手性介晶基元中的一种；

液晶单体2结构式如式V：

式V

式V中，n为3~11的整数；N表示式Ⅲ中所示棒状基元中的一种；

环状聚甲基含氢硅氧烷的结构式如式VI：

式VI

式VI中，a为3~5的整数；

（2）将液晶单体1与环状聚甲基含氢硅氧烷溶于有机溶剂中，其中液晶单体1与环状聚甲基含氢硅氧烷的摩尔比为4：1；或者将液晶单体1、液晶单体2与环状聚甲基含氢硅氧烷溶于有机溶剂中，其中液晶单体1、液晶单体2、环状聚甲基含氢硅氧烷的摩尔比为1~3：3~1：1；加入催化剂，在40~80℃的条件下进行接枝共聚反应直到硅氢键消失；反应结束后，旋转蒸发除去有机溶剂，经洗涤、过滤、真空干燥，得到一种全光谱选择反射环状侧链液晶低聚物；

（3）将步骤（2）制得的液晶低聚物加热至液晶态，均匀涂敷在洁净的玻璃基板表面，然后进行淬火处理，得到全光谱选择反射环状侧链液晶低聚物薄膜。

3.根据权利要求2所述的全光谱选择反射环状侧链液晶低聚物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的有机溶剂为甲苯和/或四氢呋喃。

4.根据权利要求2所述的全光谱选择反射环状侧链液晶低聚物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的催化剂为铂、锂、锑及其酸或有机盐类中的一种或两种以上的组合物，催化剂加入量为反应物总质量的0.05%~5%。

5.根据权利要求4所述的全光谱选择反射环状侧链液晶低聚物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的催化剂为六氯合铂酸。

6.根据权利要求2所述的全光谱选择反射环状侧链液晶低聚物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的洗涤方式为采用甲醇或乙醇超声洗涤。