[发明专利]层叠陶瓷电子部件制造方法、层叠陶瓷电子部件和电路板在审
申请号: | 202110544857.X | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN113690052A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 酒井智纪 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/12;H05K1/18;H05K1/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 陶瓷 电子 部件 制造 方法 电路板 | ||
本发明提供不易受到由氢导致的不良影响、外部电极的镀膜的密合性优异、并且能够充分确保安装时的焊料的接合性的层叠陶瓷电子部件的制造方法、层叠陶瓷电子部件和电路板。本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法包括:在具有被层叠且被引出至表面的内部电极的陶瓷主体的所述表面上,以与所述内部电极连接的方式形成由导电性材料形成的基底膜的工序。利用电镀法在所述基底膜上形成第一镍膜。在形成所述第一镍膜后,在所述第一镍膜再结晶的温度以上的温度,利用弱还原气氛进行热处理。利用电镀法在进行了所述热处理的第一镍膜上形成第二镍膜。
技术领域
本发明涉及具有外部电极的层叠陶瓷电子部件的制造方法、层叠陶瓷电子部件和使用其的电路板。
背景技术
通常,层叠陶瓷电容器的制造工序中包括用于形成外部电极的镀覆工序。在该镀覆工序中产生的氢容易被吸藏在外部电极内而残留。在层叠陶瓷电容器中,会因外部电极内的氢扩散至陶瓷主体内而发生绝缘电阻降低等不良情况。
对此,专利文献1中公开了一种层叠陶瓷电容器的制造方法,通过对包含Cu的外部电极主体进行氧化处理来形成包含Cu2O的保护层,在该保护层上形成Ni镀层,在形成Ni镀层后在150℃以上的温度条件下进行热处理,在热处理后形成Sn镀层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-66783号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是,在外部电极主体的氧化处理后形成Ni镀层时,作为氧化膜的保护层与Ni镀层的密合性有可能降低。而且,热处理后的Ni镀层的表面可能会氧化而成为不稳定的状态。因此,在其表面直接形成Sn镀层,还有可能导致Sn镀层的密合性降低、安装在基板上时所使用的焊料的浸润性降低。
本发明是鉴于上述情况而做出的,其目的在于提供不易受到由氢导致的不良影响、外部电极的镀膜的密合性优异、并且能够充分确保安装时的焊料的接合性的层叠陶瓷电子部件的制造方法、层叠陶瓷电子部件和使用其的电路板。
用于解决技术问题的手段
为了实现上述目的,本发明的一个方式的层叠陶瓷电子部件的制造方法包括:在具有被层叠且被引出至表面的内部电极的陶瓷主体的所述表面上,以与所述内部电极连接的方式形成由导电性材料形成的基底膜的工序。
利用电镀法在所述基底膜上形成第一镍膜。
在形成所述第一镍膜后,在所述第一镍膜再结晶的温度以上的温度,利用弱还原气氛进行热处理。
利用电镀法在进行了所述热处理的第一镍膜上形成第二镍膜。
通过在形成第一镍膜后在该第一镍膜再结晶的温度进行热处理,能够使被吸取到第一镍膜等中的氢释放到外部。而且,进行了热处理的第一镍膜再结晶而成为抑制氢的扩散的结构,因此,能够防止氢侵入热处理后的陶瓷主体。从而,能够抑制由氢向陶瓷主体扩散导致的绝缘电阻降低等不良情况。
另外,通过在进行了热处理的第一镍膜上形成第二镍膜,能够在表层侧配置氧化少的稳定的表面状态的第二镍膜。因此,在将层叠陶瓷电子部件安装在基板上时,能够抑制焊料的浸润性的降低,能够充分确保焊料的接合性。
而且,通过在进行了热处理的第一镍膜上利用同种材料形成第二镍膜,能够充分确保它们的密合性。
具体而言,所述热处理的温度可以为450℃以上800℃以下。
由此,能够得到使第一镍膜再结晶、能够使被吸藏在第一镍膜等中的氢充分地释放、并且能够充分抑制氢的扩散的第一镍膜。
例如,所述第一镍膜的厚度可以为1.0μm以上10.0μm以下。
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