[发明专利]一种显示面板、显示装置以及制作方法在审
申请号: | 202110543620.X | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN113517321A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 孔超;张如芹;曹鹏;袁德 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 张帆 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 以及 制作方法 | ||
1.一种显示面板,包括衬底、依次层叠设置在所述衬底上的驱动电路层、发光器件层、封装层和彩膜层,所述发光器件层包括阵列排布的多个像素,每个像素包括多个子像素,其特征在于,
还包括设置在所述衬底上的调整层,用于调整所述发光器件层的各子像素的出光角度以使得所述各子像素的出光角度大于预设置的角度阈值。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述调整层包括第一调整子层和第二调整子层;
所述彩膜层包括:
与所述各子像素的发光材料对应的第一彩色滤光片;
作为所述第一调整子层的黑矩阵,所述黑矩阵环绕所述第一彩色滤光片,相邻所述第一彩色滤光片之间的黑矩阵在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值;以及
设置在所述黑矩阵远离所述衬底一侧的作为所述第二调整子层的第一触控结构层;其中
所述黑矩阵在所述衬底上的正投影覆盖所述第一触控结构层在所述衬底上的正投影。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度小于所述预设宽度阈值;
所述第一触控结构层包括设置在所述黑矩阵上的第一触控结构子层和作为所述第二调整子层的覆盖所述第一触控结构子层的不透明的辅助膜层,所述辅助膜层的反射率小于等于预设反射率阈值;
或者
所述第一触控结构层包括设置在所述黑矩阵上的不透明的第二触控结构子层,所述第二触控结构子层的反射率小于等于预设反射率阈值。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述调整层包括第三调整子层;
所述彩膜层包括:
与所述各子像素的发光材料对应的第二彩色滤光片;以及
作为所述第三调整子层的不透明的第二触控结构层,所述第二触控结构层环绕所述第二彩色滤光片,相邻所述第二彩色滤光片之间的第二触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述第二触控结构层包括设置在所述封装层上的第三触控结构子层和作为所述第三调整子层的覆盖所述第三触控结构子层的不透明的辅助膜层,所述辅助膜层的反射率小于等于预设反射率阈值;
或者
所述第二触控结构层包括设置在所述封装层上的不透明的第四触控结构子层,所述第四触控结构子层的反射率小于等于预设反射率阈值。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述调整层包括第四调整子层和第五调整子层;
所述发光器件层包括:
所述各子像素的发光材料;以及
环绕所述发光材料的且作为所述第四调整子层的不透明像素界定层,所述不透明像素界定层的反射率小于等于预设反射率阈值;
所述彩膜层包括:
与所述各子像素的发光材料对应的第三彩色滤光片;以及
作为所述第五调整子层的不透明的第三触控结构层,所述第三触控结构层环绕所述第三彩色滤光片,相邻所述第三彩色滤光片之间的第三触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度小于预设宽度阈值;
所述不透明像素界定层在所述衬底上的正投影覆盖所述第三触控结构层在所述衬底上的正投影。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述第三触控结构层包括设置在所述封装层上的第五触控结构子层和作为所述第五调整子层的覆盖所述第五触控结构子层的不透明的辅助膜层,所述辅助膜层的反射率小于等于预设反射率阈值;
或者
所述第三触控结构层包括设置在所述封装层上的不透明的第六触控结构子层,所述第六触控结构子层的反射率小于等于预设反射率阈值。
8.根据权利要求3、5、7中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述辅助膜层为导电材料或非导电材料;
和/或
所述辅助膜层为碳化物薄膜、黑色聚酰亚胺树脂材料、石墨、金属氧化物材料中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110543620.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种爬绳器
- 下一篇:混合氢气的负氧离子发生器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的