[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备及照明装置

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

阳极；

阴极；以及

所述阳极与所述阴极之间的EL层，

其中，所述EL层包括发光层以及与所述发光层接触的电子传输层，

所述发光层包含主体材料，

所述电子传输层包含第一材料，

所述第一材料的LUMO能级比所述主体材料的LUMO能级低，

并且，所述主体材料的三重态激发能与所述主体材料的单重态激发能之差大于0.2eV。

2.根据权利要求1所述的发光元件，

其中，所述主体材料的所述三重态激发能与所述主体材料的所述单重态激发能之差为0.5eV以上。

3.根据权利要求1所述的发光元件，

其中，所述第一材料是包含具有二嗪骨架或三嗪骨架的稠合杂芳环骨架的物质。

4.根据权利要求1所述的发光元件，

其中，所述第一材料是包含吡嗪骨架或嘧啶骨架的物质。

5.根据权利要求1所述的发光元件，

其中，所述第一材料的三重态激发能比所述发光层中含有的材料中三重态激发能最高的物质的三重态激发能高0.2eV以上。

6.根据权利要求1所述的发光元件，还包括与所述发光层接触的空穴传输层，

其中，所述空穴传输层含有第二材料，

并且，所述第二材料的LUMO能级高于所述主体材料的LUMO能级。

7.根据权利要求1所述的发光元件，还包括与所述发光层接触的空穴传输层，

其中，所述空穴传输层包含第二材料，

并且，所述第二材料的三重态激发能比所述发光层中含有的材料中三重态激发能最高的物质的三重态激发能高0.2eV以上。

8.根据权利要求1所述的发光元件，还包括荧光材料。

9.根据权利要求8所述的发光元件，

其中，所述荧光材料的三重态激发能比所述主体材料的三重态激发能高。

10.根据权利要求8所述的发光元件，

其中，所述荧光材料的LUMO能级高于或等于所述主体材料的LUMO能级。

11.根据权利要求1所述的发光元件，

其中，所述发光层发射蓝光。

12.根据权利要求1所述的发光元件，

其中，所述第一材料的LUMO能级比所述主体材料的LUMO能级低0.05eV以上。

13.一种发光元件，包括：

阳极；

阴极；以及

所述阳极与所述阴极之间的电荷产生层；

所述阳极与所述电荷产生层之间的第一EL层；

所述电荷产生层与所述阴极之间的第二EL层；

其中，所述第一EL层包括第一发光层以及与所述第一发光层接触的第一电子传输层，

所述第一发光层包含第一主体材料，

所述第一电子传输层包含第一材料，

所述第一材料的LUMO能级比所述第一主体材料的LUMO能级低，

所述第一主体材料的三重态激发能与所述第一主体材料的单重态激发能之差大于0.2eV,

所述第二EL层包括第二主体材料和第二辅助材料。

14.根据权利要求13所述的发光元件，

其中，所述第一主体材料的所述三重态激发能与所述第一主体材料的所述单重态激发能之差为0.5eV以上。

15.根据权利要求13所述的发光元件，

其中，所述第一材料是包含具有二嗪骨架或三嗪骨架的稠合杂芳环骨架的物质。