[发明专利]偏置电路

说明书

本发明提供一种能够不依赖于电源电压地供给稳定的偏置电压的偏置电路。本发明具备晶体管(Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5以及Tr6)和电阻(R1、R2、R3、R4以及R5)，晶体管(Tr5)的集电极与将晶体管(Tr4)的集电极和电阻(R3)的另一端连结的路径上的节点(N1)连接，晶体管(Tr6)的集电极与电阻(R5)的另一端连接。

技术领域

本发明涉及用于供给偏置电压的偏置电路。

背景技术

以往，公开了一种利用带隙生成给定的偏置电压的电路(例如专利文献1)。该电路被称为维德拉(Widlar)型带隙基准电路，其中，用电阻的正的温度系数抵消依赖于晶体管构造的负的温度系数，从而即使温度变化，也能够生成恒定的偏置电压。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-139587号公报

在上述专利文献1公开的电路中，需要使用了P沟道型晶体管或者耗尽型FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)的电流源，在成本方面存在问题。因此，可考虑利用电阻来代替电流源。但是，在利用电阻的情况下，存在如下的问题，即，偏置电压会依赖于电源电压而变动。

发明内容

发明要解决的课题

因此，本发明的目的在于，提供一种能够不依赖于电源电压地供给稳定的偏置电压的偏置电路。

用于解决课题的技术方案

为了达到上述目的，本发明的一个方式涉及的偏置电路具备：第1晶体管，具有作为基极或者栅极的第1端子、作为集电极或者漏极的第2端子、以及作为发射极或者源极的第3端子；第2晶体管，具有作为基极或者栅极的第4端子、作为集电极或者漏极的第5端子、以及作为发射极或者源极的第6端子；第3晶体管，具有作为基极或者栅极的第7端子、作为集电极或者漏极的第8端子、以及作为发射极或者源极的第9端子；第4晶体管，具有作为基极或者栅极的第10端子、作为集电极或者漏极的第11端子、以及作为发射极或者源极的第12端子；第5晶体管，具有作为基极或者栅极的第13端子、作为集电极或者漏极的第14端子、以及作为发射极或者源极的第15端子；第6晶体管，具有作为基极或者栅极的第16端子、作为集电极或者漏极的第17端子、以及作为发射极或者源极的第18端子；第1电阻；第2电阻；第3电阻；第4电阻；和第5电阻，所述第2端子、所述第1电阻的一端以及所述第5电阻的一端相互连接，并且与电源端子连接，所述第1端子、所述第5端子以及所述第1电阻的另一端相互连接，所述第3端子、所述第2电阻的一端以及所述第3电阻的一端相互连接，并且与输出端子连接，所述第4端子、所述第8端子以及所述第2电阻的另一端相互连接，所述第7端子、所述第10端子、所述第11端子、所述第14端子以及所述第3电阻的另一端相互连接，所述第13端子、所述第16端子、所述第17端子以及所述第5电阻的另一端相互连接，所述第9端子以及所述第4电阻的一端相互连接，所述第6端子、所述第12端子、所述第15端子、所述第18端子以及所述第4电阻的另一端相互连接，并且与接地连接。