[发明专利]一种金属插件封装大功率硅电压调整二极管

说明书

本发明提供的一种金属插件封装大功率硅电压调整二极管，包括底板、边框、管芯；所述底板上安装有绝缘层,管芯安装在绝缘层上，绝缘层和管芯之间设置有焊盘，边框固接在底板上将绝缘层和管芯包围，边框上通过盖板封闭，所述底板一端边缘上加工有安装孔，所示边框侧壁上加工有通孔，通孔内安装有陶瓷堵头,外引线固接在陶瓷堵头中且伸入边框内通过内引线与管芯连接。本发明通过合理的结构和材料搭配具有散热好，稳态功率高、反向漏电流小、气密性强、安装方便等特点，可广泛应用于高可靠的航空、航天、船舶及海底电缆的电子线路中作稳压、箝位用。

技术领域

本发明涉及一种金属插件封装大功率硅电压调整二极管。

背景技术

现在二极管均朝着体积小而功率高的方向发展，由于器件在工作时芯片PN结产生大量的热量，所以功率越大的二极管越容易烧坏，所以管芯的面积决定了期间的稳态功率，小体积大功率的二极管散热是必须要解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种金属插件封装大功率硅电压调整二极管。

本发明通过以下技术方案得以实现。

本发明提供的一种金属插件封装大功率硅电压调整二极管，包括底板、边框、管芯；所述底板上安装有绝缘层,管芯安装在绝缘层上，绝缘层和管芯之间设置有焊盘，边框固接在底板上将绝缘层和管芯包围，边框上通过盖板封闭，所述底板一端边缘上加工有安装孔，所示边框侧壁上加工有通孔，通孔内安装有陶瓷堵头,外引线固接在陶瓷堵头中且伸入边框内通过内引线与管芯连接。

所述管芯包括N极,N极上部中心生长有P极,N极上端边缘制作有钝化层,钝化层内圈覆盖在P极上端边缘处，P极的中心制作有铝层, 铝层的边缘覆盖在钝化层上。

所述镀层内层为镀钛层，中部为镀镍层，外层为镀金层。

所述绝缘层材料为氧化铍。

所述焊盘为为铜-钼铜-铜组成的多层合金。

所述底板材料为钨铜。

所述盖板为表面镀镍的铁镍合金。

本发明的有益效果在于：通过合理的结构和材料搭配具有散热好，稳态功率高、反向漏电流小、气密性强、安装方便等特点，可广泛应用于高可靠的航空、航天、船舶及海底电缆的电子线路中作稳压、箝位用。

附图说明

图1是本发明的封装结构示意图；

图2是本发明的管芯结构示意图；

图中：1-底板，2-边框，3-绝缘层，4-管芯，41-P极，42-N极， 43-镀层，44-钝化层，45-铝层，5-焊盘，6-盖板，7-内引线，8-陶瓷堵头，9-外引线。

具体实施方式

下面进一步描述本发明的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。

一种金属插件封装大功率硅电压调整二极管，包括底板1、边框2、管芯4；所述底板1上安装有绝缘层3,管芯4安装在绝缘层3上，绝缘层 3和管芯4之间设置有焊盘5，边框2固接在底板1上将绝缘层3和管芯4 包围，边框2上通过盖板6封闭，所述底板1一端边缘上加工有安装孔，所示边框2侧壁上加工有通孔，通孔内安装有陶瓷堵头8,外引线9固接在陶瓷堵头8中且伸入边框2内通过内引线7与管芯4连接。

所述管芯4包括N极42,N极42上部中心生长有P极41,N极42上端边缘制作有钝化层44,钝化层44内圈覆盖在P极41上端边缘处，P极41 的中心制作有铝层45,铝层45的边缘覆盖在钝化层44上。

所述镀层43内层为镀钛层，中部为镀镍层，外层为镀金层。

所述绝缘层3材料为氧化铍。