[发明专利]半导体装置及电力转换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

有源区域，其形成于半导体基板的主面；以及

护圈区域，其以包围上述有源区域的方式形成于上述主面，

上述护圈区域具有：

护圈，其形成于上述半导体基板；

层间绝缘膜，其以覆盖上述护圈的方式形成于上述半导体基板上；

场板，其配置于上述层间绝缘膜上，经由贯通上述层间绝缘膜的触头与上述护圈电连接；以及

保护膜，其覆盖上述场板，

上述场板由第一金属与第二金属的层叠构造构成，

上述第一金属与上述护圈接触，

上述第二金属接触地配置于上述第一金属上，且标准电位比上述第一金属低，

上述第一金属的与上述保护膜的接触面积相对于上述第二金属的与上述保护膜的接触面积的比例为0.05以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一金属的上表面的大致全部被上述第二金属覆盖，

剖视上述场板时，上述第一金属的端部和上述第二金属的端部对齐。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一金属的上表面的面积的90％以上被上述第二金属覆盖。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

剖视上述半导体装置时，上述场板的两端从上述护圈的两端突出。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述半导体基板形成有多个上述护圈，

对于上述多个护圈中的每一个，形成有对应的上述触头及上述场板。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述护圈区域具有以包围上述护圈的方式形成于上述半导体基板的通道截断环。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具备覆盖上述场板的保护膜，

上述保护膜是有机系钝化膜、无机系钝化膜、从下层起依次层叠有无机系钝化膜及有机系钝化膜的层叠膜中的任一个。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二金属是以Al为主成分的合金，

上述第一金属是Mo、TiW、TiN、Ti、Co、Ni中的任一个。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体装置是在上述有源区域内周期性地配置有多个沟槽栅的IGBT。

10.一种电力转换装置，其具备：

一对直流端子；

与交流的相数相同数量的交流端子；以及

电力转换单位，其连接于上述一对直流端子之间，由串联连接有两个并联电路的结构构成，且数量与连接于上述并联电路的相互连接点不同的交流端子的交流的相数相同，上述并联电路并联连接有开关元件和相反极性的二极管，

上述电力转换装置的特征在于，

上述开关元件是权利要求1～9中任一项所述的半导体装置。