[发明专利]包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环之类的部件在审
| 申请号： | 202110539388.2 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113506719A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 具有 高纯 sp3 cvd 金刚石 涂层 边缘 之类 部件 | ||
1.一种用于在衬底处理系统的部件上施加涂层的方法，该方法包括：
将所述涂层沉积在所述部件的等离子暴露表面上；和
将所述部件布置在所述衬底处理系统的处理室内，其中
使用化学气相沉积(CVD)工艺沉积所述涂层，
所述涂层是金刚石涂层，
所述金刚石涂层包括sp3键，并且
所述金刚石涂层中sp3键的纯度大于95％。
2.权利要求1的方法，其中所述金刚石涂层中sp3键的纯度大于99％。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述部件是边缘环，所述方法还包括：将所述边缘环布置在所述处理室内的衬底支撑表面的周围。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述边缘环包括硅、碳化硅和二氧化硅中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述部件是等离子体约束环或罩，喷头，上电极，射频窗，电介质窗，喷射器，衬里，处理室的壁和基座中的一种。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金刚石涂层的厚度为100μm至1mm。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金刚石涂层的厚度为250μm至1mm。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述涂层沉积在所述部件的整个外表面上。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述处理室中将所述部件暴露于等离子体。
10.一种用于衬底处理系统的部件，所述部件包括：
在衬底处理系统的处理室内进行处理期间暴露于等离子体的至少一个表面；和
设置在所述至少一个表面上的金刚石涂层，其中
所述金刚石涂层包括sp3键，并且
所述金刚石涂层中sp3键的纯度大于95％。
11.根据权利要求10所述的部件，其中，所述金刚石涂层是化学气相沉积(CVD)涂层。
12.权利要求10的部件，其中所述金刚石涂层中sp3键的纯度大于99％。
13.根据权利要求10所述的部件，其中，所述部件是边缘环。
14.根据权利要求13所述的部件，其中，所述边缘环包括硅，碳化硅和二氧化硅中的至少一种。
15.根据权利要求10所述的部件，其中，所述部件是等离子体约束环或罩，喷头，上电极，射频窗，电介质窗，喷射器，衬里，处理室的壁和基座中的一种。
16.根据权利要求10所述的部件，其中，所述金刚石涂层的厚度为100μm至1mm。
17.根据权利要求10所述的部件，其中，所述金刚石涂层的厚度为250μm至1mm。
18.一种衬底处理系统，其包括权利要求10的部件。
19.一种方法，包括将权利要求10的金刚石涂层沉积在所述部件的所述至少一个表面上。
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