[发明专利]等离子体接枝共聚膜层的制备方法

权利要求书

1.一种等离子体接枝共聚疏水膜层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将待处理基材放置于工作室内并使工作室达到真空状态；

向达到真空状态的工作室内通入工艺气体，所述工艺气体至少包含氮源气体、氧气和氟碳类不饱和烃；

开启电源，在工作室内产生均匀等离子体以激发来自工艺气体的自由电子，促使基材表面引入的氮氧基团和氟碳类不饱和烃反应生成利于后续接枝共聚膜层固定的微刻蚀及氟碳交联结构；

停止通入工艺气体，向工作室内通入作为接枝共聚膜层气源的单体蒸汽，单体于等离子体气氛下在基材表面沉积并发生接枝共聚反应，形成所述接枝共聚疏水膜层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述工艺气体中氮源气体的体积百分比为55-80%，氧气的体积百分比为15-40%，余量为氟碳类不饱和烃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氟碳类不饱和烃选自C₂H₂F₂、C₂F₄、C₃F₆、C₄F₈和C₄F₆中的一种或多种的混合物。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述工艺气体的流量为20-200 sccm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述单体为氟取代直链烷基烯烃类不饱和酯、氟取代直链烷基硅氧化合物、直链烷基烯烃类不饱和酯、氟取代烷基不饱和环状化合物中的一种或多种的混合物。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述单体蒸汽的流量为20-100sccm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述工艺气体和单体蒸汽的流量比为10-1：5-0.5。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在通入单体蒸汽的同时还通入载气气体，所述载气气体为氦气、氮气、氩气、氢气中的一种或几种的混合气体；所述载气气体的流量为50-300sccm。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述单体蒸汽和载体气体的流量比为0.5-5：1-10。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述接枝共聚疏水膜层的厚度是50-1000nm。