[发明专利]一种轻质多孔MXene基复合薄膜电磁屏蔽材料及其制备方法

权利要求书

1.一种轻质多孔MXene基复合薄膜电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

（1）制备MXene/GO分散液：将MXene和GO分别分散在水中得到MXene和GO的分散液，在MXene分散液中加入阳离子表面改性剂经高速离心洗涤去除多余阳离子表面改性剂后，制备得到的带正电的MXene分散液，将带正电的MXene分散液与GO分散液混合后制备得到MXene/GO分散液；

（2）制备M/rGO薄膜：将步骤（1）得到的MXene/GO的分散液滴涂在高分子基薄板上，低温干燥去除水分，之后从薄板上揭取得到MXene/GO复合薄膜，然后将得到的MXene/GO复合薄膜进行退火处理，得到M/rGO复合薄膜；

步骤（1）中，所述MXene分散液浓度为2 ~ 10 mg/mL，所述GO分散液浓度控制在为2 ~10 mg/mL；所述GO占MXene和GO总质量的5%；

步骤（2）中，所述低温干燥在真空下进行，温度为40 ~ 60 ^oC，干燥时间为3 ~ 10 h；真空度为-0.08 ~ -0.1 MPa；

步骤（2）中，所述退火处理所用的气体氛围为氢氩混合气，其中氢气体积比为5% ~20%，退火温度为800 ^oC ~ 1000 ^oC，时间为0.5 ~ 2 h。

2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述的阳离子表面改性剂为聚乙烯亚胺、多巴胺、2,5-二巯基-1 3 4-噻二唑中任一种或几种。

3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的MXene/GO分散液浓度为2 ~10 mg/mL。

4.根据权利要求1~3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述高分子基薄板包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚碳酸酯中的任一种。

5.一种轻质多孔MXene基复合薄膜电磁屏蔽材料，其特征在于，是根据权利要求1~4任一项所述的制备方法制备得到的。

6.一种航空航天装置，其特征在于，包含权利要求5所述的轻质多孔MXene基复合薄膜电磁屏蔽材料。

7.一种军事装备，其特征在于，包含权利要求5所述的轻质多孔MXene基复合薄膜电磁屏蔽材料。

8.一种精密电子仪器，其特征在于，包含权利要求5所述的轻质多孔MXene基复合薄膜电磁屏蔽材料。