[发明专利]集成电路器件和形成方法

说明书

一种集成电路(IC)器件，包括衬底、第一有源区、第一和第二导电图案以及第一通孔结构。衬底具有相对的第一侧和第二侧。第一有源区在衬底的第一侧上方。第一导电图案在第一有源区上方并电耦合到第一有源区。第一通孔结构从第二侧穿过衬底延伸到与第一有源区电接触的第一侧。第二导电图案在衬底的第二侧下方并且电耦合至第一通孔结构。本发明的实施例还提供了一种形成集成电路器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件和形成方法。

背景技术

集成电路(IC)器件包括以IC布局图表示的多个半导体器件。IC布局图是分层的，并且包括根据半导体器件设计规范执行更高级别功能的模块。模块通常由单元的组合来构建，每个单元代表被配置为执行特定功能的一个或多个半导体结构。具有预先设计的布局图的单元(有时也称为标准单元)存储在标准单元库(为简化起见，以下称为“库”或“单元库”)中，并可以通过各种工具(例如电子设计自动化(EDA)工具)进行访问，以生成、优化和验证IC设计。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种集成电路(IC)器件，包括：衬底，具有相对的第一侧和第二侧；第一有源区，位于衬底的第一侧上方；第一导电图案，位于第一有源区上方并且电耦合到第一有源区；第一贯通孔结构，从第二侧穿过衬底延伸到第一侧与第一有源区电接触；以及第二导电图案，位于衬底的第二侧下方并且电耦合到第一贯通孔结构。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种集成电路(IC)器件，包括：多个有源区；多个栅极区，位于多个有源区上方，多个栅极区和多个有源区一起被配置为多个晶体管；第一金属层，位于多个有源区上方；第二金属层，位于多个有源区下方；以及至少一个电阻器结构。其中，每个电阻器结构包括多个有源区中的一个有源区，并且具有对应地电耦合到第一金属层和第二金属层的相对的端。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：在衬底的第一侧上形成有源区，衬底具有与第一侧相反的第二侧；在有源区上方的第一金属层中形成电耦合至有源区的第一导电图案；形成从第二侧穿过衬底延伸到第一侧与有源区电接触的通孔结构；以及在衬底的第二侧下方的第二金属层中形成电耦合至贯通孔结构的第二导电图案。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A是根据一些实施例的IC器件的示意性截面图，图1B是IC器件的示意性俯视图。

图2A是根据一些实施例的IC器件的示意性截面图，图2B是示意性俯视图，并且图2C是示意性电路图。

图3A是根据一些实施例的IC器件的示意性截面图，图3B是示意性俯视图，并且图3C是示意性电路图。

图4A是根据一些实施例的IC器件的示意性截面图，图4B是示意性俯视图，并且图4C是示意性电路图。

图5A是根据一些实施例的IC器件的示意性截面图，图5B是示意性俯视图，并且图5C是示意性电路图。

图6A-图6D是根据一些实施例的各种电阻器的示意性电路图。

图7A是根据一些实施例的示例电路的要包括在电路中的示例电路的示意性电路图，并且图7B是电阻器的示意性电路图。

图7C和图7D是示例电路的示意性电路图，其中将包括根据一些实施例的电阻器。

图8A是根据一些实施例的IC器件的示意性IC布局图，图8B是IC器件的部分的示意性电路图。

图9A是根据一些实施例的IC器件的示意性IC布局图，图9B是IC器件的部分的示意性电路图。