[发明专利]一种可控合成不同晶面择优取向Bi纳米片的方法有效
| 申请号： | 202110534902.3 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113265677B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 张颖;王丹;王妍颖;刘起辛;朱永法;潘成思;娄阳 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C25B11/075 | 分类号： | C25B11/075;C25B3/07;C25B3/26;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 裴闪闪 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可控 合成 不同 择优取向 bi 纳米 方法 | ||
1.一种可控合成不同晶面择优取向Bi纳米片的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
（1）以Bi纳米颗粒和NaI溶液为原料，将一定量的Bi纳米颗粒分散于NaI溶液中，在搅拌条件下反应5~10 h，其中，所述NaI溶液的pH为7~13；
（2）分离出步骤（1）所得沉淀并洗涤、干燥，得到不同晶面择优取向的碘氧化铋，并以此制备（004）晶面择优取向的碘氧化铋Bi5O7I电极或（102）晶面择优取向的碘氧化铋BiOI电极；
（3）将步骤（2）制备的不同晶面择优取向的碘氧化铋电极在一定条件下经电化学还原拓扑转化为不同晶面择优取向的Bi纳米片，
其中，当步骤（2）得到的是（004）晶面择优取向碘氧化铋Bi5O7I电极时，步骤（3）经电化学还原拓扑转化为（003）晶面择优取向Bi纳米片；
当步骤（2）得到的是（102）晶面择优取向碘氧化铋BiOI电极时，步骤（3）经电化学还原拓扑转化为（012）晶面择优取向Bi纳米片。
2.根据权利要求1所述的一种可控合成不同晶面择优取向Bi纳米片的方法，其特征在于，步骤（1）所述Bi纳米颗粒的尺寸为50~100 nm，纯度不小于99%。
3.根据权利要求1所述的一种可控合成不同晶面择优取向Bi纳米片的方法，其特征在于，步骤（1）所述NaI溶液的浓度为0.3~0.8 mol·L-1。
4.根据权利要求1~3任一项所述的一种可控合成不同晶面择优取向Bi纳米片的方法，其特征在于，所述NaI与Bi纳米颗粒的摩尔比为100~300。
5.根据权利要求1~3任一项所述的一种可控合成不同晶面择优取向Bi纳米片的方法，其特征在于，步骤（2）所述不同晶面择优取向的碘氧化铋电极的制备方法包括：将不同晶面择优取向的碘氧化铋以5~10 g/L的浓度分散到乙醇中，再以0.5~1mg/cm2的负载量喷涂到碳纸/玻碳上，烘干后得到相应的碘氧化铋电极。
6.根据权利要求4所述的一种可控合成不同晶面择优取向Bi纳米片的方法，其特征在于，步骤（2）所述不同晶面择优取向的碘氧化铋电极的制备方法包括：将不同晶面择优取向的碘氧化铋以5~10 g/L的浓度分散到乙醇中，再以0.5~1mg/cm2的负载量喷涂到碳纸/玻碳上，烘干后得到相应的碘氧化铋电极。
7.根据权利要求1~3或6任一项所述一种可控合成不同晶面择优取向Bi纳米片的方法，其特征在于，步骤（3）所述电化学还原拓扑转化为不同晶面择优取向的碘氧化铋电极在阴极经-0.4~-1.5 V vs. RHE电还原5~30 min。
8.根据权利要求4所述一种可控合成不同晶面择优取向Bi纳米片的方法，其特征在于，步骤（3）所述电化学还原拓扑转化为不同晶面择优取向的碘氧化铋电极在阴极经-0.4~-1.5 V vs. RHE电还原5~30 min。
9.根据权利要求5所述一种可控合成不同晶面择优取向Bi纳米片的方法，其特征在于，步骤（3）所述电化学还原拓扑转化为不同晶面择优取向的碘氧化铋电极在阴极经-0.4~-1.5 V vs. RHE电还原5~30 min。
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