[发明专利]半导体工艺腔室及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备中的工艺腔室，包括腔室本体、进气装置、设置于所述腔室本体内部的基座，其特征在于，所述基座上方设置有用于承载晶圆的支撑台；所述进气装置包括多条进气管路，多条所述进气管路围绕所述基座设置，且均位于所述基座的下方，每条所述进气管路上均设置有流量控制机构，用于控制进入所述进气管路的气体流量。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气管路竖直地穿设于所述腔室本体的底壁上。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气装置还包括多个升降机构，多个所述升降机构与多条所述进气管路一一对应地设置，所述升降机构用于驱动所述进气管路作升降运动。

4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述升降机构穿设于所述底壁上，且与所述底壁密封连接；所述进气管路穿设于所述升降机构中，且与所述升降机构密封连接。

5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气管路包括硬管段和软管段，所述硬管段穿设于所述升降机构中，且与所述升降机构密封连接，所述硬管段部分位于所述腔室本体内部，部分位于所述腔室本体外部，所述软管段位于所述腔室本体外部，一端与所述硬管段位于所述腔室本体外部的端连通，另一端与所述流量控制机构连通。

6.根据权利要求1-5任一项所述的工艺腔室，其特征在于，多条所述进气管路呈圆环状均匀排布。

7.根据权利要求1-5任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述流量控制机构为质量流量控制器。

8.根据权利要求1-5任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气装置还包括混合气路、至少两条工艺气路，所述混合气路连通所述进气管路和所述工艺气路。

9.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述混合气路包括主混气管、进气支管、多条出气支管，所述进气支管和多条所述出气支管均与所述主混气管连通；多条所述出气支管与多条所述进气管路一一对应，所述出气支管通过所述流量控制机构与所述进气管路连通，至少两条所述工艺气路均与所述进气支管连通。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的工艺腔室。