[发明专利]集成电路及其形成方法

说明书

本发明的实施例公开了集成电路及其形成方法。集成电路包括第一电源轨、第二电源轨、信号线和第一组晶体管的第一有源区。第一电源轨在衬底的背侧上，并且在第一方向上延伸。第二电源轨在衬底的背侧上，在第一方向上延伸，并且在不同于第一方向的第二方向上与第一电源轨分离。信号线在衬底的背侧上，并且在第一方向上延伸，并且在第一电源轨和第二电源轨之间。第一组晶体管的第一有源区在第一方向上延伸，并且在衬底的与背侧相对的前侧的第一层级上。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路及其形成方法。

背景技术

小型化集成电路(IC)的最新趋势已导致较小的器件消耗更少的电源，但以更高的速度提供更多的功能。小型化过程还导致了更严格的设计和制造规格以及可靠性挑战。各种电子设计自动化(EDA)工具可生成、优化和验证集成电路的标准单元布局设计，同时确保满足标准单元布局设计和制造规范。

发明内容

在一些实施例中，集成电路包括：第一电源轨，在衬底的背侧上并沿第一方向延伸，第二电源轨，在衬底的背侧上，在第一方向上延伸，并且在与第一方向不同的第二方向上与第一电源轨分离；信号线，在衬底的背侧上，并且在第一方向上延伸，并且在第一电源轨和第二电源轨之间；以及第一晶体管组的第一有源区，第一有源区在第一方向上延伸，并且位于衬底的与背侧相对的前侧的第一层级上。

在一些实施例中，集成电路包括：第一电源轨，在衬底的背侧上并沿第一方向延伸，第二电源轨，在衬底的背侧上，在第一方向上延伸，并且在与第一方向不同的第二方向上与第一电源轨分离；第一导电结构，在衬底的背侧上，第一导电结构在第一方向上延伸并且在第一电源轨和第二电源轨之间；第一栅极，在第二方向上延伸，至少与第一导电结构重叠，位于衬底的与背侧相对的前侧的第一层级上；以及第二栅极，在第二方向上延伸，至少与第一导电结构重叠，位于第一层级上，并且在第一方向上与第一栅极分离，其中，第一导电结构将第一栅极电耦合至第二栅极。

在一些实施例中，方法包括：在衬底的前侧中制造晶体管组；在衬底的与前侧相对的背侧中制造第一通孔组；在衬底的背侧上沉积第一导电结构组，从而形成通过第一通孔组电连接到晶体管组的第一接触件组的电源轨组；在衬底的背侧中制造第二通孔组；以及在衬底的背侧上沉积第二导电结构组，从而在衬底的背侧上形成信号线组。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A-图1D是根据一些实施例的集成电路的布局设计的图。

图2A-图2B是根据一些实施例的集成电路的图。

图3A-图3B是根据一些实施例的集成电路的布局设计的图。

图4A-图4B是根据一些实施例的集成电路的图。

图5A是根据本公开的各种实施例的布局设计的图。

图5B是根据一些实施例的集成电路的俯视图。

图5C是根据本公开的各种实施例的布局设计的图。

图5D是根据一些实施例的集成电路的俯视图。

图6是根据一些实施例的集成电路的电路图。

图7A-图7B是根据一些实施例的集成电路的图。

图8A-图8B是根据一些实施例的集成电路的图。

图9A-图9B是根据一些实施例的集成电路的图。

图10是根据一些实施例的集成电路的电路图。

图11A-图11B是根据一些实施例的集成电路的图。